微電子器件(2-2)-資料下載頁
2024-12-27 19:38本頁面
【正文】 硅鍺 影響 正向?qū)妷? VF 的因素 I0 = AJ0 越大， VF 就越小，因此， EG↑，則 I0↓， VF↑； NA 、 ND↑，則 I0↓， VF↑，主要取決于低摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度； T ↑， 則 I0↑， VF↓，因此 VF 具有負溫系數(shù)。 對 VF 影響最大的因素是 EG 。 鍺 PN 結(jié)的 VF 約為 V ， 硅 PN 結(jié)的 VF 約為 V 。 薄基區(qū)二極管薄基區(qū)二極管 本小節(jié)的結(jié)果在第 3 章中有重要用途。 前面討論少子濃度的邊界條件時曾假設(shè) 中性區(qū)長度遠大于中性區(qū)長度遠大于少子擴散長度。少子擴散長度。P N那時中性區(qū)外側(cè)的非平衡少子濃度的邊界條件是 薄基區(qū)二極管薄基區(qū)二極管 是指， PN 結(jié)的某一個或兩個 中性區(qū)的長度小中性區(qū)的長度小于少子擴散長度于少子擴散長度 。P NWB0 這時其擴散電流 Jd 會因為少子濃度的邊界條件不同而有所不同。但勢壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流 Jgr 的表達式無任何變化。 上圖 N 型中性區(qū)內(nèi)的非平衡少子濃度邊界條件為 利用上述邊界條件，求解擴散方程得到的 N 區(qū)中的非平衡少子分布 ?pn(x) 為式中， 上式實際上可以適用于任意 WB 值。當 WB → ∞ 時，上式近似為 對于薄基區(qū)二極管， WB Lp ，利用近似公式 ， ( |u| 1 時 ) ，得 上式對正、反向電壓都適用。類似地可得 P 區(qū)中的非平衡少子分布 ?np(x) 的表達式。薄基區(qū)二極管中的少子分布圖為 當 WB Lp 時的空穴擴散電流密度為 與厚基區(qū)二極管的擴散電流密度公式相比較， 差別僅在于分別用 WB 、 WE 來代替 Lp 、 Ln 。 當 WE Ln 時的電子擴散電流密度為謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1