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正文內(nèi)容

微電子器件(5-4)-資料下載頁

2024-12-28 23:00本頁面
  

【正文】 可知 , 與 為線性關(guān)系。測量 MOSFET 在飽和區(qū)的 關(guān)系并繪成直線,其在橫軸上的截距即為 VT ,如下圖所示, ? ? 2TGSs atD 2 VVI ?? ?DsatIGSVDsatI 1DsatI 2DsatIGSV2GSV1GSTV2??斜率0D sa t G S~IVD sa t G S~ 但此法的誤差較大,特別是對 值不同而其它方面全部相同的 MOSFET 會(huì)測出不同的 VT 值。 1 ?A 法 類似于測量 PN 結(jié)的正向?qū)妷? VF 或擊穿電壓 VB ,將漏極電流達(dá)到某一規(guī)定值 IDT 時(shí)的 VGS 作為閾電壓 VT 。 DsatIDTI GSVTV0 LCZ22OXn????斜率 此法簡單易行,早期較多采用,且通常將 IDT 定為 1 ?A。 LZ 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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