【正文】 并聯(lián)時可以不采用負載均衡措施 。 ? 開關過程中 ， BJT的負載分配是不均勻的 ， 必須設計一種合適的電路 ， 使它能夠在動態(tài)下自動保持并聯(lián)的管子的均衡負載能力 。 3 BJT的串并聯(lián) (138) Ron具有 正溫度系數(shù) ， 具有電流自動均衡的能力 ， 容易并聯(lián) 。 注意選用 Ron、 UT、 Gfs和 Ciss盡量相近的器件并聯(lián) 。 電路走線和布局應盡量對稱 。 有些也可在源極電路中串入小電感 ， 起到均流電抗器的作用 。 電力 MOSFET并聯(lián)運行的特點 （ 通常不串聯(lián)工作 ） 3 MOSFET的串并聯(lián) (139) IGBT并聯(lián)運行的特點 在 1/2或 1/3額定電流以下的區(qū)段 ， 通態(tài)壓降具有 負 溫度系數(shù) 。 在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù) 。 并聯(lián)使用時也具有電流的自動均衡能力 ， 易于并聯(lián) 。 并聯(lián)時注意事項： 當并聯(lián)使用時 ， 使用同一等級 UCES的模塊 。 各 IGBT之間的 IC不平衡率 ≤18%。 各 IGBT的開啟電壓應一致 ， 并聯(lián)時 的接線方法： 在模塊的柵極上分別接上各模塊推薦值的 RG。 柵極到各模塊驅動級的配線長短及引線電感要相等 控制回路的接線應使用雙芯線或屏蔽線 。 主電路需采用低電感接線 。 使接線盡量靠近各模塊的引出端 ， 使用銅排或扁條線 ， 以盡可能降低接線的電感量 。 4 IGBT的串并聯(lián) IGBT通常不串聯(lián)工作 小結（器件特點） 1. 根據(jù)開關器件是否可控分類 (1) 不可控器件 二極管是不可控器件 。 (2) 半控器件 普通晶閘管 SCR是半控器件 。 (3) 全控器件 GTO、 BJT、 功率 MOSFET、 IGBT等 。 2. 根據(jù)門極 (柵極 )驅動信號的不同 (1) 電流控制器件 驅動功率大 ， 驅動電路復雜 ， 工作頻率低 。 該類器件有 SCR、 GTO、BJT。 (2) 電壓控制器件 驅動功率小 ， 驅動電路簡單可靠 ， 工作頻率高 。 該類器件有功率MOSEET、 IGBT。 3. 根據(jù)載流子參與導電情況之不同 (1) 單極型器件 功率 MOSFET 。 (2) 雙極型器件 二極管 、 SCR、 GTO、 BJT。 (3) 復合型器件 IGBT， 是電力電子器件發(fā)展方向 。 ? 電力電子器件中電壓 ， 電流額定值從高往低的器件是 SCR、 GTO、IGBT和 BJT、 功率 MOSFET。 ? 工作頻率從高往低的器件是功率 MOSFET、 IGBT、 BJT、 GTO、 SCR。 (142) 本章小結 主要內容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結構 、 工作原理 、基本特性和主要參數(shù)等 。 集中討論電力電子器件的驅動 、 保護和串 、 并聯(lián)使用 。 電力電子器件類型歸納 不控型 ： 半控型 ： 全控型 ： 電壓驅動型： 所需驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高。 電流驅動型： 通態(tài)壓降低，導通損耗小，但工作頻率較低， 所需驅動功率大 ,驅動電路較復雜。 (143) IGBT為主體 ， 第四代產品 ， 制造水平 / ， 兆瓦以下首選 。 仍在不斷發(fā)展 ， 試圖在兆瓦以上取代 GTO。 GTO：兆瓦以上首選 ， 制造水平 6kV / 6kA。 光控晶閘管 ：功率更大場合 ， 8kV / ， 裝置最高達 300MVA， 容量最大 。 電力 MOSFET：長足進步 ， 中小功率領域特別是低壓 ， 地位牢固 。 功率模塊和功率集成電路 是現(xiàn)在電力電子發(fā)展的一個共同趨勢 。 當前的格局 : ★ 電力電子器件選用原則（比較） 目前普通晶閘管的輸出功率最大，但工作頻率低，在幾十到 幾百赫內工作最為理想； GTO輸出功率稍低一些，但工作頻 率要高一些，最佳工作頻率約為幾百到 HZ。 GTR的容量 與 IGBT大體相當，輸出功率都低于 GTO，最佳工作頻率 GTR 約為 110kHZ， IGBT為 2050 IGBT輸入功率遠比 GTR 低，控制更加方便，故有代替 GTR的趨勢。 MOSFET的電流和 電壓容量都比 IGBT低，但工作頻率高，可達 50100 kHZ以上， 因此， MOSFET在高頻小功率電路中占優(yōu)勢。 作業(yè) GTO、 MOSFET驅動電路的工作原理，敘述 GTR驅動電路中抗飽和電路的作用。 SCR過壓產生原因及保護措施，過流種類及保護措施，串并聯(lián)要求及措施。 全控器件緩沖電路的作用，會分析 RCD緩沖電路各元件的作用。 MOSFET及 IGBT并聯(lián)特點。 比較普通晶閘管、 GTO、 GTR、 MOSFET、 IGBT的優(yōu)缺點。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT