電力電子器件第5講-資料下載頁(yè)
2024-12-29 06:38本頁(yè)面
【正文】 并聯(lián)時(shí)可以不采用負(fù)載均衡措施 。 ? 開(kāi)關(guān)過(guò)程中 ， BJT的負(fù)載分配是不均勻的 ， 必須設(shè)計(jì)一種合適的電路 ， 使它能夠在動(dòng)態(tài)下自動(dòng)保持并聯(lián)的管子的均衡負(fù)載能力 。 3 BJT的串并聯(lián) (138) Ron具有 正溫度系數(shù) ， 具有電流自動(dòng)均衡的能力 ， 容易并聯(lián) 。 注意選用 Ron、 UT、 Gfs和 Ciss盡量相近的器件并聯(lián) 。 電路走線(xiàn)和布局應(yīng)盡量對(duì)稱(chēng) 。 有些也可在源極電路中串入小電感 ， 起到均流電抗器的作用 。 電力 MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn) （ 通常不串聯(lián)工作 ） 3 MOSFET的串并聯(lián) (139) IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn) 在 1/2或 1/3額定電流以下的區(qū)段 ， 通態(tài)壓降具有 負(fù) 溫度系數(shù) 。 在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù) 。 并聯(lián)使用時(shí)也具有電流的自動(dòng)均衡能力 ， 易于并聯(lián) 。 并聯(lián)時(shí)注意事項(xiàng)： 當(dāng)并聯(lián)使用時(shí) ， 使用同一等級(jí) UCES的模塊 。 各 IGBT之間的 IC不平衡率 ≤18%。 各 IGBT的開(kāi)啟電壓應(yīng)一致 ， 并聯(lián)時(shí) 的接線(xiàn)方法： 在模塊的柵極上分別接上各模塊推薦值的 RG。 柵極到各模塊驅(qū)動(dòng)級(jí)的配線(xiàn)長(zhǎng)短及引線(xiàn)電感要相等 控制回路的接線(xiàn)應(yīng)使用雙芯線(xiàn)或屏蔽線(xiàn) 。 主電路需采用低電感接線(xiàn) 。 使接線(xiàn)盡量靠近各模塊的引出端 ， 使用銅排或扁條線(xiàn) ， 以盡可能降低接線(xiàn)的電感量 。 4 IGBT的串并聯(lián) IGBT通常不串聯(lián)工作 小結(jié)（器件特點(diǎn)） 1. 根據(jù)開(kāi)關(guān)器件是否可控分類(lèi) (1) 不可控器件 二極管是不可控器件 。 (2) 半控器件 普通晶閘管 SCR是半控器件 。 (3) 全控器件 GTO、 BJT、 功率 MOSFET、 IGBT等 。 2. 根據(jù)門(mén)極 (柵極 )驅(qū)動(dòng)信號(hào)的不同 (1) 電流控制器件 驅(qū)動(dòng)功率大 ， 驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜 ， 工作頻率低 。 該類(lèi)器件有 SCR、 GTO、BJT。 (2) 電壓控制器件 驅(qū)動(dòng)功率小 ， 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單可靠 ， 工作頻率高 。 該類(lèi)器件有功率MOSEET、 IGBT。 3. 根據(jù)載流子參與導(dǎo)電情況之不同 (1) 單極型器件 功率 MOSFET 。 (2) 雙極型器件 二極管 、 SCR、 GTO、 BJT。 (3) 復(fù)合型器件 IGBT， 是電力電子器件發(fā)展方向 。 ? 電力電子器件中電壓 ， 電流額定值從高往低的器件是 SCR、 GTO、IGBT和 BJT、 功率 MOSFET。 ? 工作頻率從高往低的器件是功率 MOSFET、 IGBT、 BJT、 GTO、 SCR。 (142) 本章小結(jié) 主要內(nèi)容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結(jié)構(gòu) 、 工作原理 、基本特性和主要參數(shù)等 。 集中討論電力電子器件的驅(qū)動(dòng) 、 保護(hù)和串 、 并聯(lián)使用 。 電力電子器件類(lèi)型歸納 不控型 ： 半控型 ： 全控型 ： 電壓驅(qū)動(dòng)型： 所需驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高。 電流驅(qū)動(dòng)型： 通態(tài)壓降低，導(dǎo)通損耗小，但工作頻率較低， 所需驅(qū)動(dòng)功率大 ,驅(qū)動(dòng)電路較復(fù)雜。 (143) IGBT為主體 ， 第四代產(chǎn)品 ， 制造水平 / ， 兆瓦以下首選 。 仍在不斷發(fā)展 ， 試圖在兆瓦以上取代 GTO。 GTO：兆瓦以上首選 ， 制造水平 6kV / 6kA。 光控晶閘管 ：功率更大場(chǎng)合 ， 8kV / ， 裝置最高達(dá) 300MVA， 容量最大 。 電力 MOSFET：長(zhǎng)足進(jìn)步 ， 中小功率領(lǐng)域特別是低壓 ， 地位牢固 。 功率模塊和功率集成電路 是現(xiàn)在電力電子發(fā)展的一個(gè)共同趨勢(shì) 。 當(dāng)前的格局 : ★ 電力電子器件選用原則（比較） 目前普通晶閘管的輸出功率最大，但工作頻率低，在幾十到 幾百赫內(nèi)工作最為理想； GTO輸出功率稍低一些，但工作頻 率要高一些，最佳工作頻率約為幾百到 HZ。 GTR的容量 與 IGBT大體相當(dāng)，輸出功率都低于 GTO，最佳工作頻率 GTR 約為 110kHZ， IGBT為 2050 IGBT輸入功率遠(yuǎn)比 GTR 低，控制更加方便，故有代替 GTR的趨勢(shì)。 MOSFET的電流和 電壓容量都比 IGBT低，但工作頻率高，可達(dá) 50100 kHZ以上， 因此， MOSFET在高頻小功率電路中占優(yōu)勢(shì)。 作業(yè) GTO、 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，敘述 GTR驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的作用。 SCR過(guò)壓產(chǎn)生原因及保護(hù)措施，過(guò)流種類(lèi)及保護(hù)措施，串并聯(lián)要求及措施。 全控器件緩沖電路的作用，會(huì)分析 RCD緩沖電路各元件的作用。 MOSFET及 IGBT并聯(lián)特點(diǎn)。 比較普通晶閘管、 GTO、 GTR、 MOSFET、 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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