【總結(jié)】高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號(hào))先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【總結(jié)】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說(shuō)明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】 第1頁(yè)共8頁(yè) 關(guān)于電力電子器件分類與應(yīng)用思考 電力電子技術(shù)是以電力電子器件為基礎(chǔ)對(duì)電能進(jìn)行控制、轉(zhuǎn) 換和傳輸?shù)囊婚T技術(shù),是現(xiàn)代電子學(xué)的一個(gè)重要分支,包括電力 電子器件、變流電路和控制電路三...
2024-08-26 16:04
【總結(jié)】庫(kù)侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(jí)(金屬粒子為幾個(gè)納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過(guò)程是不連續(xù)的,前一個(gè)電子對(duì)后一個(gè)電子的庫(kù)侖排斥能EC(庫(kù)侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個(gè)一個(gè)單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫(kù)侖堵塞效應(yīng)。庫(kù)侖排斥能EC???充一個(gè)電子作功:對(duì)于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【總結(jié)】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】第一章電力半導(dǎo)體器件?電力電子器件概述?功率二極管?晶閘管?(GTO)、電力晶閘管(GTR)?功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極型晶體管?電力電子器件散熱、串并聯(lián)及緩沖保護(hù)電力電子器件概述電力電子器件——?概念、分類、特征、損耗應(yīng)用電力電子器件
2024-08-14 09:55
【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述...................................................................................2電力電子元器件產(chǎn)品概述..........................................................................
2025-02-27 22:29
【總結(jié)】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏置和
2025-01-19 07:34
【總結(jié)】電阻器電阻,英文名resistance,通??s寫為R,它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與導(dǎo)體的尺寸、材料、溫度有關(guān)。歐姆定律說(shuō),I=U/R,那么R=U/I,電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,有這樣的定義:導(dǎo)體上加上一伏特電壓時(shí),產(chǎn)生一安培電流所對(duì)應(yīng)的阻值。電阻的主要職能就是阻礙電流流過(guò)。事實(shí)上,“電阻”說(shuō)的是一種性質(zhì),而通常在電子產(chǎn)品中所指的電阻,是指電阻器這樣一種元件。師傅對(duì)徒弟說(shuō):“
2024-08-13 14:51
【總結(jié)】大量資料天天更新常用電子器件培訓(xùn)大量資料天天更新目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2024-12-31 23:04
【總結(jié)】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問(wèn)世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問(wèn)世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結(jié)】第9章電力電子器件應(yīng)用的共性問(wèn)題電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用2/75電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電路3/75電
2025-02-14 17:36
【總結(jié)】第七章長(zhǎng)溝道MOSFETs(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?MOSFETs的基本工作原理?漏電流模型?MOSFETs的I-V特性?亞閾特性?襯底偏置效應(yīng)和溫度特性對(duì)閾值電壓的影響?MOSFET溝道遷移率?MOSFET電容和反型層電容的影響?MOSFET的頻率特性
2024-12-27 20:50