微電子器件(3-9)(已修改)
2025-01-09 04:40 本頁(yè)面
【正文】 高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路 推導(dǎo)步驟 首先利用電荷控制方程得到 “ i ~ q ” 關(guān)系，然后再推導(dǎo)出 “ q ~ v ” 關(guān)系，兩者結(jié)合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本節(jié)以均勻基區(qū) NPN 管為例。（并推廣到高頻小信號(hào)） 先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式： 小信號(hào)的電荷控制模型 ( i ~ q 關(guān)系 ) 參考方向：電流均以流入為正，結(jié)電壓為 vBE 和 vCB 。 基極電流 iB 由以下六部分組成： 晶體管中的各種電荷為 (2) 由基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的少子形成的 ipE ，這些電荷在發(fā)射區(qū)中與多子相復(fù)合，故可表示為 (1) 補(bǔ)充與基區(qū)少子復(fù)合掉的多子的電流 (4) 當(dāng) vCB 變化時(shí)，對(duì) CTC 的充電電流 (5) 當(dāng) qB 變化時(shí)，對(duì) CDE 的充電電流 (6) 當(dāng) qE 變化時(shí)引起的電流 。這部分電流可以忽略。 (3) 當(dāng) vBE 變化時(shí)，對(duì) CTE 的充電電流 其中基區(qū)少子的小信號(hào)電荷 qb 又可分為由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 兩部分。 因此基極電流 iB 可以表為 基極電流的高頻小信號(hào)分量 ib 也有類(lèi)似的形式， 集電極電流的高頻小信號(hào)分量 ic 由以下三部分組成： (1) 從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子，渡越過(guò)基區(qū)被集電結(jié)收集后所形成的 (2) 當(dāng) vcb 變
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1