微電子器件(3-9)(完整版)
【正文】 fT 500 MHz 的一般高頻管。 將 c、 e 之間剩下的 改寫成 從而分成分別受 Vce 和 Vbe 控制的兩個電流源，即 于是得到晶體管的高頻小信號混合 π等效電路 電路的簡化再考慮到基極電阻 rbb’ 和 c、 b 之間的電容 C? 2 后得：圖中， 以上等效電路因為未包括 ?d 與 ?c 的作用，因此只適用于 fT 500 MHz 的一般高頻管。 如果用另外一些元件構成一個電路，使其輸入輸出端上信號量之間的關系和晶體管的完全一樣，則這個電路就是晶體管的 等效電路 。 (3) 當 vBE 變化時，對 CTE 的充電電流 其中基區(qū)少子的小信號電荷 qb 又可分為由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 兩部分。（并推廣到高頻小信號） 先列出一些推導中要用到的關系式： 小信號的電荷控制模型 ( i ~ q 關系 ) 參考方向：電流均以流入為正，結電壓為 vBE 和 vCB 。例如晶體管的共發(fā)射極直流 小信號電流電壓方程為 Y 參數(shù) 晶體管電流電壓關系的 Y 參數(shù)（導納參數(shù)） 表示法： V2 I1 + I2 V1 + 根據(jù)式（ 3358）的共基極 高頻 小信號電流電壓方程，和 Y 參數(shù)的定義，可得到晶體管的共基極 高頻 小信號 Y 參數(shù)， 小信號等效電路 晶
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