【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述...................................................................................2電力電子元器件產(chǎn)品概述..........................................................................
2025-02-27 22:29
【總結(jié)】第9章電力電子器件應(yīng)用的共性問(wèn)題電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用2/75電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電路3/75電
2025-02-14 17:36
【總結(jié)】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結(jié)】第四講全控型電力電子器件概述門極可關(guān)斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn);20世紀(jì)80年代以來(lái),信息電子技術(shù)與電力電子技術(shù)在各自發(fā)展的基礎(chǔ)上相結(jié)合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術(shù)又帶入了一個(gè)嶄新時(shí)代;典型代表——門極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-16 17:38
【總結(jié)】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)對(duì)策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術(shù)和應(yīng)用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關(guān)鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面,,其應(yīng)用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個(gè)領(lǐng)域。分立功率器件能處理越來(lái)越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時(shí)的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結(jié)】1.光電導(dǎo)長(zhǎng)度對(duì)光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學(xué)理學(xué)院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所光學(xué)學(xué)會(huì)光電專業(yè)委員會(huì)委員中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)光機(jī)電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會(huì)理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學(xué)與光譜分析》
【總結(jié)】報(bào)告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時(shí)代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時(shí)代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護(hù)環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點(diǎn)。熱電轉(zhuǎn)化器件,因?yàn)榫哂协h(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點(diǎn)
【總結(jié)】通訊IQC電子器件培訓(xùn)修訂日期修訂單號(hào)修訂內(nèi)容摘要頁(yè)次版次修訂審核批準(zhǔn)2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【總結(jié)】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對(duì)晶體管的特性會(huì)產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過(guò)渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-05-01 18:00
【總結(jié)】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國(guó)通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代;20世紀(jì)80年代以來(lái),開
2025-06-24 08:14
【總結(jié)】對(duì)電力電子器件應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的思考-----------------------作者:-----------------------日期:對(duì)功率電子器件應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的思考內(nèi)容提要:功率電子技術(shù)誕生于晶閘管產(chǎn)生的1957年。發(fā)展到如今,就功率電子器件而言,早已從半控型的晶閘管進(jìn)入以IGBT、功率MOSFET為代表的全控型器件的時(shí)代。
2025-06-17 13:40