【總結】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述...................................................................................2電力電子元器件產(chǎn)品概述..........................................................................
2025-02-27 22:29
【總結】第9章電力電子器件應用的共性問題電力電子器件的驅動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用2/75電力電子器件的驅動電力電子器件驅動電路概述典型全控型器件的驅動電路IGBT器件的驅動電路3/75電
2025-02-14 17:36
【總結】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎由兩個相距很近的pn結組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結】電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結】第四講全控型電力電子器件概述門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問世后不久出現(xiàn);20世紀80年代以來,信息電子技術與電力電子技術在各自發(fā)展的基礎上相結合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術又帶入了一個嶄新時代;典型代表——門極可關斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-16 17:38
【總結】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術對策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術和應用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術包括功率半導體器件與IC技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面,,其應用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個領域。分立功率器件能處理越來越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【總結】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結】1.光電導長度對光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【總結】-光電轉換的橋梁徐徐征征北京交通大學理學院光電子技術研究所v徐征博士教授博士生導師北京交通大學光電子技術研究所光學學會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學會光機電技術與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學與光譜分析》
【總結】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應用前言在當今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
【總結】通訊IQC電子器件培訓修訂日期修訂單號修訂內(nèi)容摘要頁次版次修訂審核批準2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【總結】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
2025-07-25 07:03
【總結】acceptor受主donor施主rebination復合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢壘p-njunctionpn結
2025-05-01 18:00
【總結】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國貝爾實驗室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術迅速發(fā)展和廣泛應用的嶄新時代;20世紀80年代以來,開
2025-06-24 08:14
【總結】對電力電子器件應用技術發(fā)展的思考-----------------------作者:-----------------------日期:對功率電子器件應用技術發(fā)展的思考內(nèi)容提要:功率電子技術誕生于晶閘管產(chǎn)生的1957年。發(fā)展到如今,就功率電子器件而言,早已從半控型的晶閘管進入以IGBT、功率MOSFET為代表的全控型器件的時代。
2025-06-17 13:40