微電子器件(5-5)(已修改)
2025-08-17 19:44 本頁面
【正文】 MOSFET 的直流參數(shù)與溫度特性 MOSFET 的直流參數(shù) 閾電壓 VT 飽和漏極電流 IDSS 只適用于耗盡型 MOSFET，表示當 VGS = 0， VDS VDsat 且恒定時的 IDsat ，即 ? ? 2 2D SS G S T T22I V V V??? ? ? 通導電阻 Ron 表示當 MOSFET 工作于線性區(qū)，且 VDS 很小時的溝道電阻。當 VDS 很小時， ID 可表示為 DSTGS2DSDTGSD )(21)( VVVVVVVIS ???????? ??? ??)()(1TGSOXnTGSDDSon VVCZLVVIVR????? ?? 截止漏極電流 只適用于增強型 MOSFET，表示當 VGS = 0 ，外加 VDS 后的亞閾電流與 PN 結(jié)反向電流引起的微小電流。 柵極電流 IG 表示從柵極穿過柵氧化 層到溝道之間的電流。柵極電流 IG極小，通常小于 1014 A 。 1 、 閾電壓 與溫度的關(guān)系 上式中與溫度
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