【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】基極電阻把基極電流IB從基極引線(xiàn)經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱(chēng)這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對(duì)晶體管的特性會(huì)產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【總結(jié)】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線(xiàn)電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【總結(jié)】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱(chēng)為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見(jiàn)到的光對(duì)大腦的刺激程度來(lái)對(duì)光進(jìn)行計(jì)量的
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】 第1頁(yè)共8頁(yè) 關(guān)于電力電子器件分類(lèi)與應(yīng)用思考 電力電子技術(shù)是以電力電子器件為基礎(chǔ)對(duì)電能進(jìn)行控制、轉(zhuǎn) 換和傳輸?shù)囊婚T(mén)技術(shù),是現(xiàn)代電子學(xué)的一個(gè)重要分支,包括電力 電子器件、變流電路和控制電路三...
2025-08-17 16:04
【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述...................................................................................2電力電子元器件產(chǎn)品概述..........................................................................
2025-02-27 22:29
【總結(jié)】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過(guò)渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-07-24 20:06
【總結(jié)】第9章電力電子器件應(yīng)用的共性問(wèn)題電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用2/75電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電路3/75電
2025-02-14 17:36
【總結(jié)】微電子器件基礎(chǔ)第八章半導(dǎo)體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu)功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠(yuǎn)大于于小信號(hào)晶體管。
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】電阻器電阻,英文名resistance,通??s寫(xiě)為R,它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與導(dǎo)體的尺寸、材料、溫度有關(guān)。歐姆定律說(shuō),I=U/R,那么R=U/I,電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,有這樣的定義:導(dǎo)體上加上一伏特電壓時(shí),產(chǎn)生一安培電流所對(duì)應(yīng)的阻值。電阻的主要職能就是阻礙電流流過(guò)。事實(shí)上,“電阻”說(shuō)的是一種性質(zhì),而通常在電子產(chǎn)品中所指的電阻,是指電阻器這樣一種元件。師傅對(duì)徒弟說(shuō):“
2025-08-04 14:51
【總結(jié)】第四講全控型電力電子器件概述門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn);20世紀(jì)80年代以來(lái),信息電子技術(shù)與電力電子技術(shù)在各自發(fā)展的基礎(chǔ)上相結(jié)合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術(shù)又帶入了一個(gè)嶄新時(shí)代;典型代表——門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-16 17:38
【總結(jié)】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)對(duì)策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術(shù)和應(yīng)用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關(guān)鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面,,其應(yīng)用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個(gè)領(lǐng)域。分立功率器件能處理越來(lái)越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【總結(jié)】石墨烯在電子器件制作中的應(yīng)用Theapplicationofgrapheneinthefabricationofelectronicdevices本論文主要內(nèi)容:1簡(jiǎn)介2石墨烯在電子器件中的應(yīng)用3研究進(jìn)展與應(yīng)用前景石墨烯是碳原子六角結(jié)構(gòu)(蜂窩狀)緊密排列的二維單層石墨層。自2021年被科學(xué)家發(fā)
2025-05-11 01:29
【總結(jié)】對(duì)電力電子器件應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的思考-----------------------作者:-----------------------日期:對(duì)功率電子器件應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的思考內(nèi)容提要:功率電子技術(shù)誕生于晶閘管產(chǎn)生的1957年。發(fā)展到如今,就功率電子器件而言,早已從半控型的晶閘管進(jìn)入以IGBT、功率MOSFET為代表的全控型器件的時(shí)代。
2025-06-17 13:40
【總結(jié)】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國(guó)通用電氣公司(GE)開(kāi)發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開(kāi)辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代;20世紀(jì)80年代以來(lái),開(kāi)
2025-06-24 08:14