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正文內(nèi)容

電力電子器件ppt課件(編輯修改稿)

2025-02-13 09:01 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 向漏電流流過(guò) 。 當(dāng)反向電壓達(dá)到反向擊穿電壓后 , 可能導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞 。 圖 18 晶閘管的伏安特性 IG2IG1IG 正向 導(dǎo)通 雪崩 擊穿 O + U A U A I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM ( 2) 反向特性 工作頻率低時(shí),不需要考慮動(dòng)態(tài)特性;工作頻率高時(shí)必須考慮動(dòng)態(tài)特性。 ( 1) 開(kāi)通過(guò)程 延遲時(shí)間 td:門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始,到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的 10%的時(shí)間 上升時(shí)間 tr:陽(yáng)極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的 90%所需的時(shí)間 開(kāi)通時(shí)間 ton以上兩者之和, ton=td+ tr 普通晶閘管延遲時(shí)間為~?s,上升時(shí)間為~3?s 晶閘管的動(dòng)態(tài)特性 影響因素: 陽(yáng)極電壓大小、門極電流大小、主回路電感大小等 ( 1) 開(kāi) 通 過(guò) 程 延 遲時(shí)間 td (~?s) 上升 時(shí)間 tr (~3?s) 開(kāi) 通 時(shí)間 ton以上 兩 者之和 , ton=td+ tr 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 反向阻斷恢復(fù)時(shí)間 trr 正向阻斷恢復(fù)時(shí)間 tgr 關(guān)斷時(shí)間 toff以上兩者之和toff=trr+tgr 普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒 晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形 ( 2) 關(guān)斷過(guò)程 晶閘管的動(dòng)態(tài)特性 反向阻斷恢復(fù)時(shí)間 trr:正向電流 降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接 近于零的時(shí)間 ( 2) 關(guān)斷過(guò)程 正向阻斷恢復(fù)時(shí)間 tgr:晶閘管要 恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力還 需要一段時(shí)間 在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓,晶閘管會(huì)重新正向?qū)? 實(shí)際應(yīng)用中 , 應(yīng)對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反向電壓 , 使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力 , 電路才能可靠工作 關(guān)斷時(shí)間 toff : trr與 tgr之和,即 toff=trr+tgr ( 16) 普通晶管的 關(guān)斷時(shí)間約 幾百微秒。 動(dòng)態(tài)損耗 這兩部分屬于 靜態(tài)損耗 導(dǎo)通時(shí)器件上有一定 的通態(tài)壓降,形成 通態(tài)損耗 阻斷時(shí)器件上有微小 小斷態(tài)漏電流流過(guò), 形成 斷態(tài)損耗 ? 在器件 開(kāi) 通或 關(guān)斷 的 轉(zhuǎn)換過(guò) 程中 產(chǎn) 生 開(kāi) 通損 耗 和 關(guān)斷損 耗 ,
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