【總結(jié)】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結(jié)】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專業(yè)本
【總結(jié)】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng),空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí),N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【總結(jié)】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【總結(jié)】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-05-01 18:00
【總結(jié)】第19章電力電子器件電力電子器件可控整流電路*逆變電路*交流調(diào)壓電路*直流斬波電路電力電子器件電力電子器件的分類(1)不控器件:導(dǎo)通和關(guān)斷無可控的功能KAD(二極管)KGA普通晶閘管
2024-12-08 11:05
【總結(jié)】第五章非平衡載流子1.GeN?313410,101??????cmpsp?解:??13173141010110ppUcms?????????2.空穴在半導(dǎo)體內(nèi)均勻產(chǎn)生,其產(chǎn)生率00px???0???xE?22ppppEppppD
2024-10-18 14:52
【總結(jié)】常用電子器件培訓(xùn)主講人:呂明生產(chǎn)部目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2025-01-10 18:13
【總結(jié)】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問題和解決問題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書:《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書:
2025-04-29 05:36
【總結(jié)】第六章PN結(jié)1、??VnNNqTkViADD26171520??????解:查附錄,得到室溫下,Ge本征載流子濃度???cmni317315105,105??????cmNcmNAD接觸電勢(shì)差,2、解、P中性區(qū)電子擴(kuò)散區(qū)勢(shì)
2024-12-23 14:01
【總結(jié)】LASERLightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation1917:愛因斯坦()提出了受激輻射可以實(shí)現(xiàn)光放大的概念,導(dǎo)致激光發(fā)明的理論基礎(chǔ)1917年以后近四十年內(nèi)量子理論的發(fā)展;粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的有效實(shí)現(xiàn);電子學(xué)與微波技術(shù)的發(fā)展1954:美國(guó)湯斯()前蘇聯(lián)巴索夫()和普羅
2025-05-06 04:10
【總結(jié)】第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊本章小結(jié)引言■模擬和
2024-07-29 08:30
【總結(jié)】第十章微電子工藝實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測(cè)量等。2.熱擴(kuò)散對(duì)硅片進(jìn)行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴(kuò)散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測(cè)量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-04-29 01:06
【總結(jié)】1電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路電力電子電路的基礎(chǔ)———電力電子器件本章主要內(nèi)容:概述電力電子器件的概念、特點(diǎn)和分類等問題。介紹常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)
2025-05-13 02:34
【總結(jié)】1第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊2電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和
2025-05-14 22:16