【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷鍺、硅半導(dǎo)體中的雜質(zhì)及能級(jí)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)及能級(jí)寬禁帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)及能級(jí)缺陷、位錯(cuò)能級(jí)本章要點(diǎn):?半導(dǎo)體中總是存在一定量的雜質(zhì)和缺陷?半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷有多種存在形式和性質(zhì)?雜質(zhì)和缺陷對(duì)半導(dǎo)體的性質(zhì)具
2025-01-05 06:10
【總結(jié)】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)
2025-05-12 07:50
【總結(jié)】第五章思考題與習(xí)題解答5-1什么是功率放大電路?對(duì)功率放大電路有哪些特殊要求?解以輸出功率為主的放大電路稱功率放大電路。對(duì)功率放大電路有四點(diǎn)要求:①輸出功率要足夠大,輸出電阻越小越好。所謂足夠大的功率是指能帶動(dòng)負(fù)載作功的功率。輸出電阻越小,帶負(fù)載能力越強(qiáng)。②效率高。也就是說,在電源電壓一定的情況下,輸出功率要大,而管耗要小。③非線性失真小。④有過載保護(hù)措施
2025-03-25 04:55
【總結(jié)】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號(hào))先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【總結(jié)】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【總結(jié)】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【總結(jié)】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問題和解決問題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書:《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書:
2025-04-29 05:36
【總結(jié)】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結(jié)】第五章基本門電路?數(shù)字信號(hào)的特征?電路的主要性能?雙極晶體管的開關(guān)特性??晶體管-晶體管邏輯(TTL)門?肖特基晶體管—晶體管邏輯門?發(fā)射極耦合邏輯(ECL)門?NMOS門電路?CMOS門電路?MOS電路的比較?數(shù)字
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】微電子器件測(cè)試與封裝-第四章深愛半導(dǎo)體股份有限公司封裝部-謝文華器件的分類Page2內(nèi)容|半導(dǎo)體器件測(cè)試SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD?半導(dǎo)體器件?一、集成電路?ASIC?存儲(chǔ)器?FPGA?二、分立器件?雙極晶體管——Transistor
【總結(jié)】課后習(xí)題答案為什么經(jīng)典物理無法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)?在量子力學(xué)中又是用什么方法來描述的?解:在經(jīng)典物理中,粒子和波是被區(qū)分的。然而,電子和光子是微觀粒子,具有波粒二象性。因此,經(jīng)典物理無法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)。在量子力學(xué)中,粒子具有波粒二象性,其能量和動(dòng)量是通過這樣一個(gè)常數(shù)來與物質(zhì)波的頻率和波矢建立聯(lián)系的,即上述等式的左邊描述的是粒子的能量和動(dòng)量,右邊描述的則是粒子波動(dòng)
2025-06-20 05:30
【總結(jié)】第七章長(zhǎng)溝道MOSFETs(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?MOSFETs的基本工作原理?漏電流模型?MOSFETs的I-V特性?亞閾特性?襯底偏置效應(yīng)和溫度特性對(duì)閾值電壓的影響?MOSFET溝道遷移率?MOSFET電容和反型層電容的影響?MOSFET的頻率特性