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正文內(nèi)容

微電子器件基礎(chǔ)第五章習(xí)題解答(編輯修改稿)

2024-11-14 14:52 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ?????0,2 ?? Unnp i (凈復(fù)合) —— 凈產(chǎn)生 在載流子完全耗盡的半導(dǎo)體區(qū)域, inpn ???? ,0,00,2 ?? Unnp i在只有少數(shù)載流子被耗盡的半導(dǎo)體區(qū)域,如對(duì)于 N型半導(dǎo)體, 00 ,0 nnn nnppp ?????—— 凈產(chǎn)生 0,2 ?? Unnp i在 的半導(dǎo)體區(qū)域, inpn ???12. itpD EEscmN ???? ?? ,10110 5316 ?,? ?scmpRGp?????????? ?? 3954 ?解:因?yàn)樯僮涌昭ǖ臐舛龋? 0?p所以, ? ? 3416210200 ?????????????? cmNnppppDi達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí),少子產(chǎn)生率, 13. ? ?sVcms nn ???? ? /3 6 0 0, 24 ??解:由愛因斯坦關(guān)系式,得到電子擴(kuò)散系數(shù), nnnnqTkDqTkD ??00 ???電子擴(kuò)散長(zhǎng)度, ? ? ? ?cmq TkDL nnnnn 12/1432/10 2 ?? ????????????????? ???14. ? ?24 0 0 /p c m V s? ??????解:由愛因斯坦關(guān)系式,得到空穴擴(kuò)散系數(shù), xp43 10 cm??? ?scmq TkD pp / 000 20 ???? ?空穴擴(kuò)散濃度梯度, ? ?19 18 21. 6 10 10 .4 3. 3 10 5. 5 /pp dpJ qD A c mdx ?? ? ? ? ? ? ? ?? ?15 1 8 4410 3 . 3 1 03 1 0dp cmdx ??? ? ? ? ??空穴擴(kuò)散電流密度, 15. ? ? ? ?sVcmcmncmNcmnt ???????? ?? /135010,10,1 23100315 ?? ,解:由電阻率查表 PP124圖 415( b),得到半導(dǎo)體平衡多子濃度, ? ?srNntn8815 11 ?? ???????邊界處電子擴(kuò)散電流密度, 非平衡少子壽命, 3160 10 ??? cmNp Ap平衡少子濃度 ? ? 34162100 ????? cmnp? ?? ? ? ?? ? ? ?000 001 9 1 0 4 5 280 . 0 2 6 1 3 5 01 . 6 1 0 1 0 2 . 3 1 0 7 . 5 1 0 /1 . 6 1 0n nnn n xn n nq D n D k TdnJ q D q n q nd x L qA c m?????????? ? ? ? ? ??? ? ? ? ? ? ? ??非平衡少子分布(半導(dǎo)體無限厚), ? ? ? ?0 nxLn x n e ?? ? ?16. ? ? ? ? ssVcmcmpcmpp 623130 105,/500,10,3 ?? ????????? ???解:由電阻率
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