微電子器件(3-8)(編輯修改稿)
2025-01-19 04:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 re 的電流為 流過電容 CTE 的電流為iectier 因此 暫不考慮從基區(qū)注入發(fā)射區(qū)形成的 ine（即假設(shè) ）時(shí)， 再計(jì)入 的作用后，得：式中， ，稱為 發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容充放電時(shí)間常數(shù) 。 發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容充放電時(shí)間常數(shù) 本小節(jié)從 CDE 的角度來推導(dǎo) （近似式）。 假設(shè) 即 代入 CDE ，得：WBx0QBQEqb = dQBqe = dQE 流過電阻 re 的電流為 當(dāng)不考慮勢(shì)壘電容與寄生參數(shù)時(shí)， PN 結(jié)的交流小信號(hào)等效電路是發(fā)射極增量電阻 與電容 CDE 的并聯(lián)。 流過電容 CDE 的電流為ie ipeipcreCDEebiecdier 因此式中， 再計(jì)入復(fù)合損失后得：這與不含超相移因子的 的近似式完全一致。 暫不考慮基區(qū)復(fù)合損失時(shí)， 集電結(jié)耗盡區(qū)延遲時(shí)間 當(dāng)基區(qū)少子進(jìn)入集電結(jié)耗盡區(qū)后，在其中強(qiáng)電場(chǎng)的作用下以飽和速度 vmax 作漂移運(yùn)動(dòng)，通過寬度為 xdc 的耗盡區(qū)所需的時(shí)間為 當(dāng)空穴進(jìn)入耗盡區(qū)后，會(huì)改變其中的空間電荷分布，從而改變電場(chǎng)分布和電位分布，這又會(huì)反過來影響電流。這里采用一個(gè)簡(jiǎn)化的模型來表示這種影響。 設(shè)電荷量為 qc 的基區(qū)少子（空穴）進(jìn)入集電結(jié)耗盡區(qū)后，在它通過耗盡區(qū)的 ?t 期間，平均而言會(huì)在耗盡區(qū)兩側(cè)分別感應(yīng)出兩個(gè) ( qc /2 ) 的電荷。 當(dāng)集電區(qū)一側(cè)感應(yīng)出 ( qc /2 ) 時(shí)，將產(chǎn)生一個(gè)向右的電流 。另一方面 ，流出耗盡區(qū)的空穴電流比流入耗盡區(qū)的空穴電流少了 ，所以 ipcc 成為N Pipc ipccxdcqc qc/2qc/2 平均而言，代入上式，得：式中， 稱為 集電結(jié)耗盡區(qū)延遲時(shí)間 。 集電結(jié)勢(shì)壘電容經(jīng)集電區(qū)充放電的時(shí)間常數(shù) 當(dāng)電流 ic 流經(jīng)集電區(qū)體電阻 rcs 時(shí)，產(chǎn)生壓降 icrcs 。雖然 vcb = 0 ，但本征集電結(jié)上（ c’ 與 b 之間）卻有壓降，圖中 c’ 為緊靠勢(shì)壘區(qū)的 本征集電極 ，或稱為 內(nèi)集電極 。 N PCTC rcsicvcb= 0cbc’ vc’b 將對(duì) CTC 進(jìn)行充放電，充放電電流為 總的高頻小信號(hào)集電極電流為 式中， ，代表 集電結(jié)勢(shì)壘電容經(jīng)集電區(qū)的充放電時(shí)間常數(shù) 。
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