電力電子器件全控型器件(編輯修改稿)
2025-01-15 22:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 空穴流EcEbic=βibibie=(1+β)ibGTR共發(fā)射極接法時(shí)內(nèi)部主要載流子的流動(dòng)如圖。集電極電流 ic與基電流 ib之比為β=b為 電流放大系數(shù) ，當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的電流 Iceo時(shí)， ic與 ib關(guān)系為ic=βib + Iceo電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一18電力晶體管GTR的類型目前常用的 GTR有 單管 、 達(dá)林頓管 和 模塊 三種類型。l 單管 GTR基本型。 單管 GTR的電流放大系數(shù)很小， 通常為 10左右 。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一19電力晶體管l 達(dá)林頓 GTR 達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的 GTR是由 兩個(gè) 或 多個(gè) 晶體管復(fù)合而成。 l 優(yōu)點(diǎn)：達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的 GTR電流 放大倍數(shù)很大 ，可以達(dá)到幾十至幾千倍。l 缺點(diǎn)： 飽和管壓降增加，增大了導(dǎo)通損耗，同時(shí)降低了管子 工作速度 。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一20電力晶體管l GTR模塊 它是將 GTR管芯根據(jù)不同的用途將 幾個(gè)單元電路 集成在同一硅片上。 提高了器件的集成度、工作的可靠性、性能 /價(jià)格比，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了小型輕量化。 目前生產(chǎn)的 GTR模塊可將 6個(gè) 相互絕緣的單元電路制在同一個(gè)模塊內(nèi)，以便于組成三相橋電路。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一21電力晶體管截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)GTR的靜態(tài)特性 ：在電力電子電路中， GTR工作在開關(guān)狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或者飽和區(qū)。但 GTR在開關(guān)過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時(shí)，一般要經(jīng)過放大區(qū)。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一22電力晶體管動(dòng)態(tài)特性l 開通 :經(jīng)過 延時(shí)時(shí)間 td和 上升時(shí)間 tr，二者之和為 開通時(shí)間 ton；增大 ib的幅值并增大 dib/dt，可縮短延遲時(shí)間，同時(shí)可縮短上升時(shí)間。l 關(guān)斷 ：經(jīng)過 儲(chǔ)存時(shí)間 ts和下降時(shí)間 tf，二者之和為 關(guān)斷時(shí)間 toff。減小導(dǎo)通時(shí)的 飽和深度 （工作在臨界飽和或準(zhǔn)飽和區(qū)），或者增大基極抽取負(fù)電流 Ib2的 幅值 和 負(fù)偏壓 ，可加快關(guān)斷速度。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院23GTR的動(dòng)態(tài)特性電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一24電力晶體管GTR的主要參數(shù)：電壓參數(shù)l 最高電壓額定值 GTR上電壓超過規(guī)定值時(shí)會(huì)發(fā)生擊穿。擊穿電壓不僅和晶體管本身 特性 有關(guān)，還與外電路 接法有關(guān)。擊穿電壓有多種：cbe電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一25電力晶體管BUCBO－發(fā)射極開路時(shí)，集－基極的擊穿電壓。BUCEX－基極施加反偏壓時(shí)，集－射極的擊穿電壓。BUCES－基射極短路時(shí)，集－射極的擊穿電壓。BUCER－基－射極間并聯(lián)電阻時(shí)，基－射極的擊穿電壓。BUCEO－基極開路時(shí)，集－射極的擊穿電壓。BUCBO＞ BUCEX＞ BUCES＞ BUCER＞ BUCEO電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一26電力晶體管電流參數(shù)l集電極最大允許電流 ICM通常規(guī)定為直流電流放大系數(shù) β下降到規(guī)定值的 1/2~1/3時(shí)所對應(yīng)的 Ic。實(shí)際使用時(shí)要
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