電力電子器件全控型器件(編輯修改稿)
2025-01-15 22:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 空穴流EcEbic=βibibie=(1+β)ibGTR共發(fā)射極接法時內(nèi)部主要載流子的流動如圖。集電極電流 ic與基電流 ib之比為β=b為 電流放大系數(shù) ，當考慮到集電極和發(fā)射極間的電流 Iceo時， ic與 ib關系為ic=βib + Iceo電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一18電力晶體管GTR的類型目前常用的 GTR有 單管 、 達林頓管 和 模塊 三種類型。l 單管 GTR基本型。 單管 GTR的電流放大系數(shù)很小， 通常為 10左右 。電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一19電力晶體管l 達林頓 GTR 達林頓結構的 GTR是由 兩個 或 多個 晶體管復合而成。 l 優(yōu)點：達林頓結構的 GTR電流 放大倍數(shù)很大 ，可以達到幾十至幾千倍。l 缺點： 飽和管壓降增加，增大了導通損耗，同時降低了管子 工作速度 。電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一20電力晶體管l GTR模塊 它是將 GTR管芯根據(jù)不同的用途將 幾個單元電路 集成在同一硅片上。 提高了器件的集成度、工作的可靠性、性能 /價格比，同時也實現(xiàn)了小型輕量化。 目前生產(chǎn)的 GTR模塊可將 6個 相互絕緣的單元電路制在同一個模塊內(nèi)，以便于組成三相橋電路。電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一21電力晶體管截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)GTR的靜態(tài)特性 ：在電力電子電路中， GTR工作在開關狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或者飽和區(qū)。但 GTR在開關過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時，一般要經(jīng)過放大區(qū)。電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一22電力晶體管動態(tài)特性l 開通 :經(jīng)過 延時時間 td和 上升時間 tr，二者之和為 開通時間 ton；增大 ib的幅值并增大 dib/dt，可縮短延遲時間，同時可縮短上升時間。l 關斷 ：經(jīng)過 儲存時間 ts和下降時間 tf，二者之和為 關斷時間 toff。減小導通時的 飽和深度 （工作在臨界飽和或準飽和區(qū)），或者增大基極抽取負電流 Ib2的 幅值 和 負偏壓 ，可加快關斷速度。電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院23GTR的動態(tài)特性電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一24電力晶體管GTR的主要參數(shù)：電壓參數(shù)l 最高電壓額定值 GTR上電壓超過規(guī)定值時會發(fā)生擊穿。擊穿電壓不僅和晶體管本身 特性 有關，還與外電路 接法有關。擊穿電壓有多種：cbe電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一25電力晶體管BUCBO－發(fā)射極開路時，集－基極的擊穿電壓。BUCEX－基極施加反偏壓時，集－射極的擊穿電壓。BUCES－基射極短路時，集－射極的擊穿電壓。BUCER－基－射極間并聯(lián)電阻時，基－射極的擊穿電壓。BUCEO－基極開路時，集－射極的擊穿電壓。BUCBO＞ BUCEX＞ BUCES＞ BUCER＞ BUCEO電力電子技術(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學信息科學與工程學院2023/3/1星期一26電力晶體管電流參數(shù)l集電極最大允許電流 ICM通常規(guī)定為直流電流放大系數(shù) β下降到規(guī)定值的 1/2~1/3時所對應的 Ic。實際使用時要
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