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正文內(nèi)容

微電子器件(3-9)(編輯修改稿)

2025-01-19 04:40 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 Ic 的關(guān)系,可求出 Ie ,并考慮到從而可得共基極高頻小信號電流電壓方程為( 3358a)( 3358b) 對于直流狀態(tài)或極低的頻率,只須忽略所有電容,就可以得到相應(yīng)的直流小信號電流電壓方程。例如晶體管的共發(fā)射極直流 小信號電流電壓方程為 Y 參數(shù) 晶體管電流電壓關(guān)系的 Y 參數(shù)(導(dǎo)納參數(shù)) 表示法: V2 I1 + I2 V1 + 根據(jù)式( 3358)的共基極 高頻 小信號電流電壓方程,和 Y 參數(shù)的定義,可得到晶體管的共基極 高頻 小信號 Y 參數(shù), 小信號等效電路 晶體管內(nèi)部的作用雖然很復(fù)雜,但從外部看,只有輸入端的電流電壓和輸出端的電流電壓這四個信號量。晶體管用在電路中時,重要的只是這四個量之間的關(guān)系。特別是在小信號運(yùn)用時,這些信號量之間的關(guān)系為線性關(guān)系。 如果用另外一些元件構(gòu)成一個電路,使其輸入輸出端上信號量之間的關(guān)系和晶體管的完全一樣,則這個電路就是晶體管的 等效電路 。在分析含有晶體管的電路時,可以用等效電路來代替晶體管。要注意的是,等效電路是對外等效對內(nèi)不等效,所以等效電路不能用來研究晶體管的內(nèi)部物理過程。 根據(jù)共發(fā)射極高頻小信號電流電壓方程可得原始的共發(fā)射極高頻小信號等效電路 混合 π等效電路 電路的轉(zhuǎn)換 利用電流源之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系: c、 e 之間的 和 e、 b 之間的 可以轉(zhuǎn)化為 c、 b 之間的 ,又由于此電流正比于 c、 b之間的電壓 Vcb ,所以這實際上是 c、 b 之 間的電容
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