微電子器件測試與封裝-第四章(編輯修改稿)
2025-01-19 04:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 TS:存儲(chǔ)時(shí)間 TF：下降時(shí)間 開關(guān)時(shí)間分類的作用－ 提高一致性 雙極晶體管的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 23 Page 24 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 動(dòng)態(tài)參數(shù)： ?QG/QGS/QGD ?RG ?CISS ? COSS ?CRSS ? 熱阻 G D S MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 24 Page 25 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 漏電： ICEO,ICBO,IEBO ? 耐壓： BVCEO,BVCBO,BVEBO ? 飽和壓降： VCESAT、 VBESAT ? 放大倍數(shù)： hFE ? 正向壓降： VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? 開關(guān)時(shí)間： TS、 TF ? 熱阻 MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 25 Page 26 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? :GatetoSource Forward Leakage Current ? ： DraintoSource Forward Leakage Current ? ： DraintoSource Breakdown Voltage ? ： Gate Threshold Voltage ? ： Static DraintoSource OnResistance ? ： Diode Forward Voltage ? ： GFS ? : PinchOff Voltage G D S MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 26 Page 27 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 1. GATE CHARGE ： QG/QGS/QGD ? 2. DYNAMIC CHARACTERISTICS： CISS , COSS ,CRSS ? 測試設(shè)備： ITC5900 ? 功能： QG/QGS/QGD 、 RG、 CISS , COSS ,CRSS MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 27 ? (IGSS)， 測試線路如右： ? 測試方法： D,S 短接， GS端給電壓，量測 IGS ? IGSS： 此為在閘極周圍所介入的氧化膜的洩極電流，此值愈小愈好，當(dāng)所加入的電壓，超過氧化膜的耐壓能力時(shí)，往往會(huì)使元件遭受破壞 。 ? 測試目的 ： Gate氧化層是否存在異常 ESD導(dǎo)致的 damage Bonding后有無 Short情形 Page 28 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 ? (IDSS)， 測試線路如右： ? 測試方法： G,S 短接， DS端給電壓，量測 IDS ? IDSS： 即所謂的洩漏電流，通常很小，但是有時(shí)為了確保耐壓，在晶片周圍的設(shè)計(jì)，多少會(huì)有洩漏電流成分存在，此最大可能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)值 10倍以上。該特性與溫度成正比 ? 測試目的 ： DS間是否有暗裂 BVDSS后測試 Page 29 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 ? (BVDSS)， 測試線路如右： ? 測試方法： G,S 短接， DS端給電流，量測 VDS=VDVS ? BVDSS： 此為 Drain端 – Source端所能承受電壓值 ,主要受制內(nèi)藏逆向二極
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