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微電子器件測試與封裝-第四章(存儲版)

2025-01-21 04:40上一頁面

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【正文】 RG ?CISS ? COSS ?CRSS ? 熱阻 G D S MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 24 Page 25 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 漏電: ICEO,ICBO,IEBO ? 耐壓: BVCEO,BVCBO,BVEBO ? 飽和壓降: VCESAT、 VBESAT ? 放大倍數(shù): hFE ? 正向壓降: VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? 開關(guān)時間: TS、 TF ? 熱阻 MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 25 Page 26 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? :GatetoSource Forward Leakage Current ? : DraintoSource Forward Leakage Current ? : DraintoSource Breakdown Voltage ? : Gate Threshold Voltage ? : Static DraintoSource OnResistance ? : Diode Forward Voltage ? : GFS ? : PinchOff Voltage G D S MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 26 Page 27 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 1. GATE CHARGE : QG/QGS/QGD ? 2. DYNAMIC CHARACTERISTICS: CISS , COSS ,CRSS ? 測試設(shè)備: ITC5900 ? 功能: QG/QGS/QGD 、 RG、 CISS , COSS ,CRSS MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 27 ? (IGSS), 測試線路如右: ? 測試方法: D,S 短接, GS端給電壓,量測 IGS ? IGSS: 此為在閘極周圍所介入的氧化膜的洩極電流,此值愈小愈好,當(dāng)所加入的電壓,超過氧化膜的耐壓能力時,往往會使元件遭受破壞 。該特性與溫度成反比 ? 測試目的 : OS W/B制程之 Gate線 Page 31 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 ? (Rdson), 測試線路如右: ? RDSON: 導(dǎo)通電阻值 ,低壓 POWER MOSFET最受矚目之參數(shù) RDS(on)=RSOURCE + RCHANNEL + RACCUMULATION + RJFET + R DRIFT(EPI) + RSUBSTRATE 低壓 POWER MOSFET 導(dǎo)通電阻是由不同區(qū)域的電阻所組成 , 大部分存在於 RCHANNEL, RJFET及 REPI, 在高壓 MOS則集中於 REPI。 Page 38 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD Page 39 內(nèi)容 |封裝工藝 思考: 本工序容易出現(xiàn)什么樣的 不良? 什么 原因 引起 ? 39 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS
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