微電子器件(3-9)(存儲版)
【正文】 Vcb ，所以這實際上是 c、 b 之 間的電容 。分界頻率 為 將 與 代入 中，得： 例 一個 β0 = 58 ，偏置于 VCE = 10V， IC = 10mA 的高頻晶體管，其混合 π參數(shù)為：經(jīng)計算可得 ： 對于直流狀態(tài)或極低的頻率，可以忽略所有的電容，當不考慮基極電阻時， 得到相應(yīng)的直流小信號 等效電路為， 若忽略 ，可得簡化的直流小信號混合 π等效電路 T 形等效電路 略去 ro 與 C? 2 ， 再改畫成共基極形式， 將電流源方向倒過來，并且將 gmVb’e 改寫成 gmVeb’ ，得到： 將 e、 c 之間的電流源轉(zhuǎn)換成 e、 b’ 之間和 b’ 、 c 之間的兩個電流源，其中 e、 b’ 之間的電流源是電阻 。 等效電路中有兩個 r 與 C 的并聯(lián)支路，所以若要作進一步簡化，則在不同的頻率范圍內(nèi)有不同的簡化形式。在分析含有晶體管的電路時，可以用等效電路來代替晶體管。 因此基極電流 iB 可以表為 基極電流的高頻小信號分量 ib 也有類似的形式， 集電極電流的高頻小信號分量 ic 由以下三部分組成： (1) 從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子，渡越過基區(qū)被集電結(jié)收集后所形成的 (2) 當 vcb 變化時，對 CTC 的充電電流 (3) 當 vcb 變化時，引起 qb ( C ) 變化時所需的電流 因此 小信
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