微電子器件(3-8)(存儲(chǔ)版)
【正文】 ，記為 ，即： 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)隨頻率的變化主要由少子的基區(qū)渡越時(shí)間所引起。但是在交流情況下，從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電荷 qb ，要延遲一段時(shí)間后才會(huì)在集電結(jié)產(chǎn)生集電極電流 ipc 。 假設(shè) 即 代入 CDE ，得：WBx0QBQEqb = dQBqe = dQE 流過(guò)電阻 re 的電流為 當(dāng)不考慮勢(shì)壘電容與寄生參數(shù)時(shí)， PN 結(jié)的交流小信號(hào)等效電路是發(fā)射極增量電阻 與電容 CDE 的并聯(lián)。雖然 vcb = 0 ，但本征集電結(jié)上（ c’ 與 b 之間）卻有壓降，圖中 c’ 為緊靠勢(shì)壘區(qū)的 本征集電極 ，或稱(chēng)為 內(nèi)集電極 。 由于功率正比于電流平方，所以頻率每加倍，功率增益降為 1/4 。同時(shí)，集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)厚度將減小 ?WB ，使集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)延遲時(shí)間 ?d 變小。但當(dāng) WB 已很小時(shí)，僅靠減小 WB 來(lái)提高 fT 的作用就開(kāi)始減弱。經(jīng)計(jì)算可得：由于忽略了一些次要因素，實(shí)際的 fT 可能只有 7 GHz 左右。但是當(dāng)電流很大時(shí)， ?eb 的影響變小，甚至可以略去。 定義： 當(dāng) 下降到 時(shí)的角頻率和頻率分別稱(chēng)為 的截止角頻率 和 截止頻率 ，記為 和 ，即：這時(shí) 與 的區(qū)別僅在于用 代替 。另一方面 ，流出耗盡區(qū)的空穴電流比流入耗盡區(qū)的空穴電流少了 ，所以 ipcc 成為N Pipc ipccxdcqc qc/2qc/2 平均而言，代入上式，得：式中， 稱(chēng)為 集電結(jié)耗盡區(qū)延遲時(shí)間 。iereCTEeb 流過(guò)電阻 re 的電流為 流過(guò)電容 CTE 的電流為iectier 因此 暫不考慮從基區(qū)注入發(fā)射區(qū)形成的 ine（即假設(shè) ）時(shí)， 再計(jì)入 的作用后，得：式中， ，稱(chēng)為 發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容充放電時(shí)間常數(shù) 。 在復(fù)平面上的表示 △ OPA與 △ OAB 相似，因此， 可見(jiàn)，半圓上 P 點(diǎn)的軌跡就是 。 以 分別代表高頻小信號(hào)的發(fā)射結(jié)注入效率、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)、共基極和共發(fā)射極電流放大系數(shù) ，它們都是復(fù)數(shù)。 當(dāng) 信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于（ kT/q） 時(shí)，稱(chēng)為 小信號(hào) 。 (1) 復(fù)合損失使 的物理意義：基區(qū)中單位時(shí)間內(nèi)的復(fù)合率為 ，少子在
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