【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點本節(jié)的重點1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時ID=0。但實際上當(dāng)VGSVT時,MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行計量的
2025-05-11 01:31
【摘要】庫侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進到納米級(金屬粒子為幾個納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過程是不連續(xù)的,前一個電子對后一個電子的庫侖排斥能EC(庫侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個一個單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運行為稱為庫侖堵塞效應(yīng)。庫侖排斥能EC???充一個電子作功:對于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【摘要】電力電子器件創(chuàng)新技術(shù)與解決方案研討會(PECITS2007)邀請函縱觀IT產(chǎn)業(yè)不同器件的發(fā)展歷程,由真空電子管、晶體管、集成電路、大規(guī)模集成電路到超大規(guī)模集成電路,一代器件造就一代系統(tǒng),變頻器與電源系統(tǒng)及其子系統(tǒng)也不例外。從某種意義上說,是器件技術(shù)的發(fā)展水平?jīng)Q定著變頻器及電源行業(yè)的成長高度。因此,關(guān)注器件技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢對于變頻器和電源行業(yè)的企業(yè)無比重要。由《變頻器世界》發(fā)
2025-07-13 23:17
【摘要】感應(yīng)加熱電源的現(xiàn)狀與感應(yīng)加熱電源發(fā)展趨勢中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的電源目前主要有兩種模式:并聯(lián)諧振、串聯(lián)諧振,這是當(dāng)前許多電爐廠家與鑄造企業(yè)所共知的。并聯(lián)技術(shù)成熟穩(wěn)定,但耗電量偏高;串聯(lián)諧振技術(shù)是我公司最新研發(fā)的中頻電源,并傳統(tǒng)并聯(lián)電源節(jié)能30%,但制造成本稍高,華信電爐中頻設(shè)備研發(fā)能力一直走在世界行業(yè)前沿。感應(yīng)加熱電源是感應(yīng)加熱的核心設(shè)備。感應(yīng)加熱電源是隨著電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)和現(xiàn)
2025-06-16 12:31
【摘要】DOCUMENTNO:發(fā)行版本VERSION:頁數(shù)PAGINATION:69
2025-04-12 04:00
【摘要】現(xiàn)代電力電子在電力系統(tǒng)及電能質(zhì)量控制中的應(yīng)用—功率因數(shù)校正、無功功率補償及有源濾波?概述?無功功率和諧波的產(chǎn)生?高功率因數(shù)電力電子裝置?無功補償和有源濾波§§1概述概述n在現(xiàn)代工業(yè)和日常生活中,電力電子裝置得到了廣泛的應(yīng)用。然而,電力電子裝置作為非線性負(fù)載越來越多地運行在電網(wǎng)中,
2025-01-05 01:57
【摘要】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運動,空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時,N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56