微電子器件與ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 Q ???Bb??? ?? 1* 的物理意義： 時(shí)間， 代表少子在單位時(shí)間內(nèi)的復(fù)合幾率，因而 就代表 少子在基區(qū)停留期間被復(fù)合的幾率，而 則代表未復(fù)合 掉的比例，也即到達(dá)集電結(jié)的少子電流與注入基區(qū)的少子電流 b?Bb?????????? ?Bb??1B?1 表面復(fù)合的影響（自學(xué)） 之比。 ?????????????????????????121121122122BEBBBEBBRRLWRRLW口口口口?? *?pEJpEJ。 可以設(shè)想，在 期間，基區(qū)內(nèi)的少子全部更新一遍，因此： b?。 要減小 InE ，就應(yīng)使 NE NB ； 要減小 In r ，就應(yīng)使 WB LB 。 從外表上看兩個(gè) N區(qū) ,(或兩個(gè) P區(qū) )是對(duì)稱的，實(shí)際上 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大 ， 集電區(qū)摻雜濃度低 ，且集電結(jié)面積大。 兩種極性的雙極型晶體管 雙極型晶體管的符號(hào)在圖的下方給出，發(fā)射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實(shí)際方向。 先討論共基極接法（以 PNP 管為例）： B E C B P N P NE NB NC IE IB IC V ?Jrdndp JJJ ??dpJdnJrJP區(qū) N區(qū) px? nx0 為了理解晶體管中的電流變化情況，先復(fù)習(xí)一下 PN 結(jié)中的電流： 忽略勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流， 處于放大狀態(tài)的晶體管內(nèi)部的各電流成分如下圖所示： pEI pCInEIprInrInrnEEprpEpCCnrnEBnEpEEIIIIIIIIIIIII??????????, 從 IE 到 IC ，發(fā)生了兩部分虧損： InE 與 In r 。 BBBpCpEWpqJJ?2)0(??22211211??????????????????????????????BBpEpCBBpEpCLWJJLWJJ?? ?BBpEB qDWJp ?0BBBpEDWJ?22?22 ?????????BBpELWJ基區(qū)渡越時(shí)間 b? 定義： 少子在基區(qū)內(nèi)從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需要的平均時(shí)間，稱為少子的 基區(qū)渡越時(shí)間 ，記為 。的典型值為： 口口 9 9 0 ,1 0 0 0,10 1 ????? ?? BE RR 1 1B
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