微電子器件測(cè)試與封裝-第四章-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 ENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD VFBE:BE正向通電流 IB，測(cè)試 BE之間的壓降 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 15 Page 16 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ICEO ：集電極開路CE之間加電壓 VCE，測(cè)試 CE之間的反向電流 ICBO ：發(fā)射極開路CB之間加電壓 VCB，測(cè)試 CB之間的反向電流 O－表示 OPEN，即開路的意思，不是 0（零） 由于這些反向電流通常是不希望它發(fā)生的，因此也叫漏電流 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 16 Page 17 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD IEBO： C極開路時(shí)， EB之間加電壓，測(cè)試 EB之間的反向電流 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 17 Page 18 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD BVCEO –B極開路時(shí) CE的反向擊穿電壓 BVCBO－ E極開路時(shí) CB的反向擊穿電壓 作用：測(cè)試器件能承受的反向電壓，反向擊穿電壓越高說(shuō)明器件能承受的電壓越高 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 18 Page 19 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD BVEBO－ C極開路時(shí)EB的反向擊穿電壓 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 19 Page 20 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD VBESAT:三極管在飽和狀態(tài)時(shí)輸入的正向壓降 VCESAT:三極管在飽和狀態(tài)時(shí)集電極－發(fā)射極間的壓降，也叫飽和壓降 飽和壓降即器件導(dǎo)通時(shí)的壓降，飽和壓降越小損耗越小，發(fā)熱量越低 雙極晶體管的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 20 Page 21 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD hFE－ 共發(fā)射極低頻小信號(hào)輸出交流短路 電流放大系數(shù) β－ 當(dāng)集電極電壓與電流為規(guī)定值時(shí)， Ic與 Ib之比，即 β＝IC/IB 。該特性與溫度成正比 ? 測(cè)試目的 ： DS間是否有暗裂 BVDSS后測(cè)試 Page 29 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測(cè)試 ? (BVDSS)， 測(cè)試線路如右： ? 測(cè)試方法： G,S 短接， DS端給電流，量測(cè) VDS=VDVS ? BVDSS： 此為 Drain端 – Source端所能承受電壓值 ,主要受制內(nèi)藏逆向二極體的耐壓 ,其測(cè)試條件為 VGS=0V , ID=250 uA . 該特性與溫度成正比 ? 測(cè)試目的 ： Page 30 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測(cè)試 ? (VTH)， 測(cè)試線路如右： ? 測(cè)試方法： G,D 短接， DS端給電流，量測(cè) VTH=VGS=VDVS ? VTH： 使 MOS 開始導(dǎo)通的輸入電壓稱 THRESHOLD VOLTAGE。 為了降低導(dǎo)通電阻值 ， Mosfet晶片技術(shù)上朝高集積度邁進(jìn) ， 在製程演進(jìn)上 ， TRENCH DMOS以其較高的集積密度 ， 逐漸取代 PLANAR DMOS成為 MOSFET製程技術(shù)主流 。 COSS : 此為汲極 源極間的電容量，也可以說(shuō)是內(nèi)藏二極體在逆向偏壓時(shí)的容量
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