微電子器件(3-9)-預(yù)覽頁
【正文】 須將上式中的 看作一個整體，即 ，它式中，代表集電極電流受發(fā)射結(jié)電壓變化的影響，稱為晶體管的 轉(zhuǎn)移電導(dǎo) ，或 跨導(dǎo) 。這部分電流可以忽略。 高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路 推導(dǎo)步驟 首先利用電荷控制方程得到 “ i ~ q ” 關(guān)系，然后再推導(dǎo)出 “ q ~ v ” 關(guān)系，兩者結(jié)合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 基極電流 iB 由以下六部分組成： 晶體管中的各種電荷為 (2) 由基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的少子形成的 ipE ，這些電荷在發(fā)射區(qū)中與多子相復(fù)合，故可表示為 (1) 補充與基區(qū)少子復(fù)合掉的多子的電流 (4) 當 vCB 變化時，對 CTC 的充電電流 (5) 當 qB 變化時，對 CDE 的充電電流 (6) 當 qE 變化時引起的電流 。將 與 代入 中，得： 因此 vcb 增加時， qb ( C ) 減少。晶體管用在電路中時，重要的只是這四個量之間的關(guān)系。要注意的是，等效電路是對外等效對內(nèi)不等效，所以等效電路不能用來研究晶體管的內(nèi)部物理過程。 再將 c 、 e 之間的 改寫成 將其中的和 。 對于 r、 C 并聯(lián)支路，當頻率較低時可忽略 C ，當頻率較高時可忽略 r
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