【總結(jié)】第二講電力電子器件1-1同濟(jì)大學(xué)張文豪主要內(nèi)容1.電力電子器件概述2.不可控器件——二極管3.半控型器件——晶閘管4.典型全控型器件本講小結(jié)及作業(yè)1-21、電力電子器件概述電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路
2024-09-20 21:34
【總結(jié)】典型全控型器件·引言■門極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問世后不久出現(xiàn)?!?0世紀(jì)80年代以來,電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個嶄新時代?!龅湫痛怼T極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力MOSFETIGBT單管及模塊門極可關(guān)斷晶閘管■晶閘管的一種派生器件,但可以通過在門極施加負(fù)的
2025-02-21 22:46
【總結(jié)】第19章電力電子器件電力電子器件可控整流電路*逆變電路*交流調(diào)壓電路*直流斬波電路電力電子器件電力電子器件的分類(1)不控器件:導(dǎo)通和關(guān)斷無可控的功能KAD(二極管)KGA普通晶閘管
2024-12-08 11:05
【總結(jié)】1.光電導(dǎo)長度對光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學(xué)時)電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學(xué))電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的
2025-02-16 20:18
【總結(jié)】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學(xué)理學(xué)院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所光學(xué)學(xué)會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學(xué)會光機(jī)電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學(xué)與光譜分析》
【總結(jié)】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護(hù)環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點(diǎn)。熱電轉(zhuǎn)化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點(diǎn)
【總結(jié)】太原工業(yè)學(xué)院自動化系2022/6/3電力電子技術(shù)太原工業(yè)學(xué)院自動化系2022/6/3電力電子技術(shù)?晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)?1956年美國貝爾實驗室(BellLab)發(fā)明了晶閘管?1957年美國通用電氣公司(G
2025-05-06 12:50
【總結(jié)】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕勺鳛槎O管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時ID=0。但實際上當(dāng)VGSVT時,MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【總結(jié)】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏置和
2025-01-19 07:34
【總結(jié)】電阻器電阻,英文名resistance,通??s寫為R,它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與導(dǎo)體的尺寸、材料、溫度有關(guān)。歐姆定律說,I=U/R,那么R=U/I,電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,有這樣的定義:導(dǎo)體上加上一伏特電壓時,產(chǎn)生一安培電流所對應(yīng)的阻值。電阻的主要職能就是阻礙電流流過。事實上,“電阻”說的是一種性質(zhì),而通常在電子產(chǎn)品中所指的電阻,是指電阻器這樣一種元件。師傅對徒弟說:“
2024-08-13 14:51