【總結(jié)】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導(dǎo)體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導(dǎo)體器件進(jìn)展中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
2025-04-13 23:58
【總結(jié)】CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)主講教師:吳建輝TEL:83793265-8411Email:教材及參考書(shū)?教材:?吳建輝編著:“CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)”,電子工業(yè)出版社。?參考書(shū):?RazaviB:DesignofanalogCMOSintegratedcircuits?AllenPE
2025-05-05 18:16
【總結(jié)】電子元器件培訓(xùn)課件亞州家電培訓(xùn)學(xué)校主講:胡義鳳培訓(xùn)內(nèi)容:一:電阻的作用及分類;二:電容的作用及其類型三:電感的作用及類型四:二極管的認(rèn)識(shí)五:三極管的作用及類型六:石英晶體振蕩器的認(rèn)識(shí)七:場(chǎng)效應(yīng)管的認(rèn)識(shí)八:變壓器的認(rèn)識(shí)電阻電阻的作用:電阻其最基本的作用就是阻礙電流
2025-01-10 20:20
【總結(jié)】9-1PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管9-3晶體管9-4場(chǎng)效應(yīng)管9-2特殊二極管一、半導(dǎo)體材料元素半導(dǎo)體材料有硅Si和鍺Ge等,它們都是4價(jià)元素.化合物半導(dǎo)體由大多數(shù)金屬氧化物、硫化物及砷化物組成等。導(dǎo)電特點(diǎn):1、其能力容易受溫度、光照等環(huán)境因素影響2、在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)可以顯著提
2025-01-14 10:04
【總結(jié)】ConfidencialContentsofdiagrambelongstoHuangLiangCopyrightreservedbyHL,Nodistribution1元器件封裝知識(shí)新能源檢測(cè)與控制研究中心Confidencial電阻、電容、二極管貼片封裝Contentsofdiagrambelongs
2024-11-03 17:33
【總結(jié)】CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)Teacher:何紅松Tel:15575323365E-mail:教材及參考書(shū)?教材:?吳建輝編著:“CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)”(第二版),電子工業(yè)出版社。?參考書(shū):?RazaviB:DesignofanalogCMOSintegrated
【總結(jié)】第二章MOS器件物理基礎(chǔ)G(Gate)柵極D(Drain)漏極S(Source)源極MOSFET開(kāi)關(guān)N型MOSFET導(dǎo)通時(shí)VG的值(閾值電壓)?源漏之間的電阻?源漏電阻與各端電壓的關(guān)系?…MOSFET的結(jié)構(gòu)襯底Ldrawn:溝道總長(zhǎng)度L
【總結(jié)】技術(shù)中心無(wú)源器件基本知識(shí)一、射頻基本參數(shù)介紹二、無(wú)源器件原理介紹一、射頻基本參數(shù)介紹★熱噪聲介紹所有功耗(電阻性)單元都會(huì)產(chǎn)生熱噪聲或稱Johnson噪聲。這種噪聲功率可以表達(dá)為PN=KTB,單位為瓦特(W)(注:Pn與電阻阻值大小無(wú)關(guān))。這里K=波爾茲曼常數(shù),T是Kelvin表示的
2025-02-21 15:58
【總結(jié)】???????LIANCHUANGHONGSHENG.,LTD1?聲學(xué)基礎(chǔ)特性?電聲器件的原理與使用特性?受話器產(chǎn)品簡(jiǎn)介?動(dòng)圈式受話器的主要參數(shù)?揚(yáng)聲器產(chǎn)品簡(jiǎn)介?動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的主要參數(shù)?揚(yáng)聲器及受話器的主要原材料組成?揚(yáng)聲器及受話器的可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目?揚(yáng)聲器及
2025-01-17 18:14
【總結(jié)】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度L↓時(shí),分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來(lái),這一系
2025-04-29 00:54
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門(mén)課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績(jī)!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門(mén)課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點(diǎn):第
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-14 10:23
【總結(jié)】上頁(yè)返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁(yè)返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場(chǎng)效晶體管
2025-01-19 01:25
【總結(jié)】弱電元器件培訓(xùn)主講內(nèi)容電阻電容晶體管整流橋一、電阻1、電阻的外觀、形狀如下圖示:2、電阻在底板上用字母R(Ω)表示、圖形如下表示:3、電阻的分類從結(jié)構(gòu)分有:固定電阻器和可變電阻器從材料分有:碳膜電阻器、金屬膜電阻器、線繞電阻器、熱敏電阻等從功
2025-01-11 16:54