微電子器件ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 00:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 (L) = vmax 的漏極飽和電流，經(jīng)計算， 速度飽和對飽和漏極電流 I?Dsat的影響 12 22 D s a tD s a t n O X CC( ) 1 1VZI C E LL E L?????????? ??? ? ??????????????? 特點： 對于短溝道 MOSFET， ,)( 2D s a t2C VLE ??CTGSOXnCD s a t2COXnD s a t)()(EVVCZLEVLECLZI???????????? 對于普通 MOSFET， 2D s a t2C )( VLE ??D s a t2D s a tOXn2CD s a t2COXnD s a t 21211)( IVCLZLEVLECLZI ???????????????????????? ?? 特點： ?????????????????????????????? 11)(212CD s a t2COXnD s a tLEVLECLZI ?LIVVI1,)(D s a t2TGSD s a t ?????無關。與 LIVVI Ds a tTGSDs a t ),( ???? 普通 MOSFET 在飽和區(qū)的跨導為 特點： 短溝道 MOSFET 在飽和區(qū)的跨導為 特點： 與 ( VGS VT ) 及 L 均不再有關，這稱為 跨導的飽和 。 msg?)(dd TGSOXnGSD s a tms VVCLZVIg ??? ?LgVVg1),(msTGSms ???m a xOXCOXnGSD s a tms dd vZCECZVIg ????? ? 速度飽和對跨導的影響 速度飽和對最高工作頻率的影響 由式 (5142b)，普通 MOSFET 的飽和區(qū) 最高工作頻率 為 特點： fT 正比于 (VGS VT)，反比于 L2 。 將短溝道 MOSFET 的飽和區(qū)跨導代入式 ( 5142b ) ，得短溝道 MOSFET 的飽和區(qū) 最高工作頻率 為 特點： f?T 與 VGS 無關，反比于 L 。 ?????? ????2TGSngsmsT)(23
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