微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-01-14 20:50 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 2. 晶體管的縱向設(shè)計(jì) 雙極晶體管是由發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個(gè) PN結(jié)組成的，晶體管的縱向結(jié)構(gòu)就是指在垂直于兩個(gè) PN結(jié)面上的結(jié)構(gòu)，如圖 1所示。因此，縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的任務(wù)有兩個(gè)：首先是選取縱向尺寸，即決定襯底厚度 Wt、集電區(qū)厚度 WC、 基區(qū)厚度 WB、 擴(kuò)散結(jié)深 Xje 和 Xjc等；其次是確定縱向雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)分布，即確定集電區(qū)雜質(zhì)濃度 NC、 襯底雜質(zhì)濃度 Nsub、 表面濃度 NES, NBS 以及基區(qū)雜質(zhì)濃度分布 NB(?) 等，并將上述參數(shù)轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)中的工藝控制參數(shù)。 ? 采用硅平面工藝制備 PN結(jié)的主要工藝過(guò)程 N ? S i N + (a)拋光處理后的 N型硅晶片 N+ (b)采用干法或濕法氧化 工藝的晶片氧化層制作 光刻膠 N ? Si S i O 2 N + (c)光刻膠層勻膠及堅(jiān)膜 （ d)圖形掩膜、曝光 光刻膠 掩模板 紫外光 N ? Si S iO 2 N+ n ? Si P ? Si N ? Si 光刻膠 S iO 2 S iO 2 N + N + (e)曝光后去掉擴(kuò)散窗口膜的晶片 （ f)腐蝕 SiO2后的晶片 N ? Si S iO 2 N +P ? Si N ? Si S i O 2金屬 N +N ? Si S iO 2 N +N ? Si P ? Si S iO 2金屬 金 屬 N +(g)完成光刻后去膠的晶片 (h)通過(guò)擴(kuò)散 （ 或離子注入 ） 形成 PN結(jié) (i)蒸發(fā) /濺射金屬 （ j） PN 結(jié)制作完成
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