微電子器件(2-4)(編輯修改稿)
2025-08-21 07:03 本頁面
【文章內容簡介】 ???? ?????????? ???? ??????????????????? 對于線性緩變結， 可見，禁帶寬度 EG 越大，則擊穿電壓 VB 越高；雜質濃度梯度 a 越小， VB 越高。 或通過查曲線求得線性緩變結的 雪崩 擊穿電壓 VB 。 實際擴散結的擊穿電壓 由擴散工藝形成的實際擴散結，其雜質分布既非突變結，也非線性緩變結，而是 余誤差分布 或 高斯分布 。 N P xj xj x x N(x) N(0) N0 0 硅平面工藝中，常采用雜質擴散工藝制造 PN 結。從表面到冶金結面的距離，稱為 結深 ，用 xj 表示。 方法 1： 查曲線 方法 2： 根據(jù) PN 結的具體情況，分別近似看作單邊突變結或線性緩變結，再用相應公式進行計算。 當結兩側摻雜濃度相差很小 ， N0 很大， a 很小， xj 很大 ，xd 很小（反向電壓很小或正向電壓下）時，則可近似看作線性緩變結。 當結兩側摻雜濃度相差很大 ， N0 很小， a 很大， xj 很小 ，xd 很大（反向電壓很大）時，可近似看作單邊突變結。 擊穿電壓的測量 常采用類似于測量正向導通電壓 VF 的方法。 BV?ITI?V 雪崩擊穿電壓與溫度的關系 雪崩擊穿電壓具有正溫系數(shù)，即溫度 T 上升時， VB 增大。 結的結構對 雪崩擊穿電壓 的影響 只有滿足以下條件的 PN 結，才能使用以上公式與曲線來計算擊穿電壓 VB 。 結面為一平面，即平面結 平行平面結 結面與材料表面相垂直 低摻雜中性區(qū)的厚度足夠厚 然而實際上絕大多數(shù) PN 結并不滿足這些條件 ，這就必須對計算擊穿電壓的公式加以修改。 （ 1）高阻區(qū)厚度的影響 對于同樣的 |Emax | = EC ，當 N 區(qū)足夠厚時，即 W xdB 時， 。但是當 W xdB 時，擊穿電壓變?yōu)? 可見， VB’ VB , 且若 W↓，則 VB’↓。 B d B C12V
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