【總結(jié)】課程設(shè)計(jì)課程名稱(chēng)微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱(chēng)PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專(zhuān)業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛(ài)香
2025-07-27 17:47
【總結(jié)】目錄一·課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計(jì)的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計(jì)……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【總結(jié)】微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)?設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時(shí),β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計(jì)任務(wù)具體要求:1、制造目標(biāo):發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】第五章非平衡載流子1.GeN?313410,101??????cmpsp?解:??13173141010110ppUcms?????????2.空穴在半導(dǎo)體內(nèi)均勻產(chǎn)生,其產(chǎn)生率00px???0???xE?22ppppEppppD
2024-10-18 14:52
【總結(jié)】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書(shū):《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書(shū):
2025-04-29 05:36
【總結(jié)】第六章PN結(jié)1、??VnNNqTkViADD26171520??????解:查附錄,得到室溫下,Ge本征載流子濃度???cmni317315105,105??????cmNcmNAD接觸電勢(shì)差,2、解、P中性區(qū)電子擴(kuò)散區(qū)勢(shì)
2024-12-23 14:01
【總結(jié)】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線(xiàn)電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【總結(jié)】第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊本章小結(jié)引言■模擬和
2025-07-20 08:30
【總結(jié)】微電子器件測(cè)試與封裝-第四章深?lèi)?ài)半導(dǎo)體股份有限公司封裝部-謝文華器件的分類(lèi)Page2內(nèi)容|半導(dǎo)體器件測(cè)試SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD?半導(dǎo)體器件?一、集成電路?ASIC?存儲(chǔ)器?FPGA?二、分立器件?雙極晶體管——Transistor
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】課后習(xí)題答案為什么經(jīng)典物理無(wú)法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)?在量子力學(xué)中又是用什么方法來(lái)描述的?解:在經(jīng)典物理中,粒子和波是被區(qū)分的。然而,電子和光子是微觀粒子,具有波粒二象性。因此,經(jīng)典物理無(wú)法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)。在量子力學(xué)中,粒子具有波粒二象性,其能量和動(dòng)量是通過(guò)這樣一個(gè)常數(shù)來(lái)與物質(zhì)波的頻率和波矢建立聯(lián)系的,即上述等式的左邊描述的是粒子的能量和動(dòng)量,右邊描述的則是粒子波動(dòng)
2025-06-20 05:30
【總結(jié)】第七章長(zhǎng)溝道MOSFETs(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?MOSFETs的基本工作原理?漏電流模型?MOSFETs的I-V特性?亞閾特性?襯底偏置效應(yīng)和溫度特性對(duì)閾值電壓的影響?MOSFET溝道遷移率?MOSFET電容和反型層電容的影響?MOSFET的頻率特性
【總結(jié)】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)又稱(chēng):可控硅整流器SCR,簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅。晶閘管
2025-01-17 09:01
【總結(jié)】“一個(gè)蝴蝶可以刮起一陣風(fēng),一個(gè)士兵可以開(kāi)始一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)”,那么一項(xiàng)偉大的發(fā)明呢?1947年12月,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎,大名鼎鼎的、影響人類(lèi)文明進(jìn)程的晶體管就此誕生。1956年,這三人因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。在晶體管誕生60多年后的今天,其體積幾乎縮小到了極限:貝爾實(shí)驗(yàn)室1947年制造的第一個(gè)晶體管是手工打造的,
2025-06-25 17:10
【總結(jié)】1電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路電力電子電路的基礎(chǔ)———電力電子器件本章主要內(nèi)容:概述電力電子器件的概念、特點(diǎn)和分類(lèi)等問(wèn)題。介紹常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)
2025-05-13 02:34
【總結(jié)】1第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊2電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和
2025-05-14 22:16