微電子器件(2-4)-文庫吧資料
2025-07-31 07:03本頁面
【正文】 電壓變?yōu)? 可見， VB’ VB , 且若 W↓，則 VB’↓。 結(jié)面為一平面，即平面結(jié) 平行平面結(jié) 結(jié)面與材料表面相垂直 低摻雜中性區(qū)的厚度足夠厚 然而實際上絕大多數(shù) PN 結(jié)并不滿足這些條件 ，這就必須對計算擊穿電壓的公式加以修改。 BV?ITI?V 雪崩擊穿電壓與溫度的關(guān)系 雪崩擊穿電壓具有正溫系數(shù)，即溫度 T 上升時， VB 增大。 當結(jié)兩側(cè)摻雜濃度相差很大 ， N0 很小， a 很大， xj 很小 ，xd 很大（反向電壓很大）時，可近似看作單邊突變結(jié)。 方法 1： 查曲線 方法 2： 根據(jù) PN 結(jié)的具體情況，分別近似看作單邊突變結(jié)或線性緩變結(jié)，再用相應(yīng)公式進行計算。 N P xj xj x x N(x) N(0) N0 0 硅平面工藝中，常采用雜質(zhì)擴散工藝制造 PN 結(jié)。 或通過查曲線求得線性緩變結(jié)的 雪崩 擊穿電壓 VB 。 1 312 47 G 8C0s1 .1 1 01 .1EqEN??? ?????? ?????? 也可通過查曲線求得突變結(jié)的 雪崩 擊穿電壓 VB 。 雪崩擊穿電壓的近似計算方法 EC 只與結(jié)的形式和摻雜濃度稍微有關(guān)，對于硅 PN 結(jié)， 5C 2 1 0 V c mE ??對于突變結(jié)， m a x C b i b i B B| | ( ) ( ) ,E E V V V V V? ? ? ?當 達 到 時 ， 即由式 (210)可知， ? ?120m a x b is2|| qNE V V?????????120CBs332 13s 24B C G 002 102qNEVV E E NqN?? ???? ????? ? ? 可見，禁帶寬度 EG 越大，則擊穿電壓 VB 越高；約化雜質(zhì)濃度 N0 越低， VB 越高。 由于 ?i 隨 E 的變化很劇烈，所以 對積分起主要作用的 只是電場峰值附近很小一部分區(qū)域。由此可得發(fā)生 雪崩擊穿的條件 是 雪崩
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