微電子器件(2-4)-資料下載頁
2025-07-25 07:03本頁面
【正文】 時為齊納擊穿。 N0 或 a 較小時， xd 較大， d 較大，較易發(fā)生雪崩擊穿； 兩種擊穿的比較 雪崩擊穿條件： 齊納擊穿條件： GB 6EVq?GB 4EVq? 對于硅，這分別相當于 7V 和 5V 左右。 其余內容請參見表 23 。 di0 d1x x? ??Gm a x||EdqE? 足 夠 小 N0 或 a 較大時， xd 較小， d 較小，較易發(fā)生齊納擊穿。 反向電壓 V↑→功率 PC = V I0↑→ 結溫 Tj↑→ I0↑ 當 Tj 不受控制的不斷上升時，將導致 PN 結的燒毀，這就是 熱擊穿 。熱擊穿是破壞性的，不可逆的。 熱擊穿 2 G0ijGC0je xpe xpEInkTEP V IkT??? ? ?????????? ? ???????式中 V 為反向電壓， Tj 為 PN 結的結溫。 式中 Ta 代表環(huán)境溫度， RT 代表 熱阻 ，其計算公式為 式中， 與 分別為材料的熱阻率與熱導率， L 與 A 分別代表傳熱途徑上的長度和橫截面積。 T?jaTdTTTPR??TTLLRAA? ??? 單位時間內散發(fā)掉的熱量為 當 PC PTd 時， Tj 上升； 當 PC = PTd 時， Tj 維持不變，達到平衡； 當 PC PTd 時， Tj 下降。 ?（ 2123） （ 2124） 防止熱擊穿最有效的措施是降低熱阻 RT 。 此外 ， 半導體材料的禁帶寬度 EG 越大 ， 則 I0 越小 ， 熱穩(wěn)定性就越好 ， 因此硅 PN 結的熱穩(wěn)定性優(yōu)于鍺 PN 結 。 由于 PN 結的反向電流 I0 極小，所以功率損耗 PC 也極小，一般并不容易發(fā)生熱擊穿。實際上熱擊穿往往發(fā)生在已經出現(xiàn)電擊穿，因而反向電流比較大的情況下?；蛘甙l(fā)生在正向時，因為正向電流不但很大，而且也有正的溫度系數(shù)。
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