微電子器件(2-2)(編輯修改稿)
2025-01-14 19:38 本頁面
【文章內容簡介】 于是可得 N 區(qū)內的非平衡少子空穴的分布為 擴散方程的通解為 外加正向電壓時 PN 結中的少子分布圖P 區(qū) N 區(qū) 注入 N 區(qū)后的非平衡空穴，在 N 區(qū)中 一邊擴散一邊復合一邊擴散一邊復合 ，其濃度隨距離作指數(shù)式衰減。衰減的特征長度就是空穴的擴散長度 Lp 。每經(jīng)過一個 Lp 的長度， 非平衡 空穴濃度降為 1/e 。 P 區(qū) N 區(qū) 外加反向電壓時 PN 結中的少子分布圖 N 區(qū)中勢壘區(qū)附近的少子空穴全部被勢壘區(qū)中的強大電場拉向 P 區(qū)， 所以 空穴濃度在勢壘區(qū)邊界處最低，隨距離作指數(shù)式增加，在足夠遠處恢復為平衡少子濃度。減少的空穴由 N 區(qū)內部通過熱激發(fā)產(chǎn)生并擴散過來補充。 假設中性區(qū)內無電場，所以可略去空穴電流密度方程中的漂移分量，將上面求得的 ?pn(x) 同理， P 區(qū)內的電子擴散電流密度為（ 252a）（ 252b） 擴散電流、擴散電流 代入空穴擴散電流密度方程，得 N 區(qū)內的空穴擴散電流密度為 PN 結總的擴散電流密度 Jd 為 當 V = 0 時， Jd = 0 當 V kT/q 時， 當 V 0 且 |V| kT/q 時， Jd = J0 室溫下硅 PN 結的 J0 值約為 1010A/cm2 的數(shù)量級。 由于當 V 0 且 |V| kT/q 后， 反向電流達到飽和值 I0 ，不再隨反向電壓而變化，因此稱 I0 為 反向飽和電流反向飽和電流 。IVI0 0 J0 乘以 PN 結的結面積 A ，得 反向飽和電流、反向飽和電流 對對 J0 的討論的討論 與材料種類的關系： EG↑，則 ni↓， J0↓； 與摻雜濃度的關系： ND 、 NA↑，則 pn0 、 np0↓， J0↓， 主要取決于低摻雜一側的雜質濃度； 與溫度 T 的關系： T ↑，則 ni↑， J0↑，因此 J0 具有正溫系數(shù)。這是影響 PN 結熱穩(wěn)定性的重要因素。 勢壘區(qū)產(chǎn)生復合電流勢壘區(qū)產(chǎn)生復合電流 由式 （ 117）， 凈復合率 U 可表為
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1