電力電子器件半控型器件-在線瀏覽
2025-01-29 22:24本頁面
【正文】 還有 塑封 和 模塊式 兩種封裝。 211 CC iβi ? 2BG21 ii ?? ??形成正反饋過程 K G EA 0、 EG 0 EG EA + _ R Gi 2BiG21 iββ G2iβ晶閘管導(dǎo)通的工作原理 : 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 11 晶閘管導(dǎo)通后，去掉 EG ， 依靠 正反饋 ， 仍可維持導(dǎo)通狀態(tài) 。由以上式可得 ： 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 13 )(1 21C BO2C BO1G2A ????????IIII?在低發(fā)射極電流下 ? 是很小的，而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來之后， ? 迅速增大。流過晶閘管的漏電流稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。IA實(shí)際由外電路決定。 2. 晶閘管控制電路 (控制極與陰極之間 )施加正向電壓或正向脈沖 (正向觸發(fā)電壓 )。 依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 2. 將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。 ?承受 正向電壓 時(shí) ， 僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通 。 晶閘管的基本特性 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 17 晶閘管伏安特性 ))(( 曲線UfI ?正 向 特 性反 向 特 性UR R MUD R MIG 2 IG 1 IG 0 UB RIFUB O正 向 轉(zhuǎn) 折 電 壓IHoUIIG 0IG 1IG 2__+++__正 向 平 均 電 流維 持 電 流? UIL反 向 轉(zhuǎn) 折 電 壓擎 住 電 流電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 18 晶閘管的門極觸發(fā)電流從門極流入晶閘管 ， 從陰極流出 。 門極觸發(fā)電流也往往是通過觸發(fā)電路在門極和陰極之間 施加觸發(fā)電壓 而產(chǎn)生的 。 為保證可靠 、 安全的觸發(fā) ， 觸發(fā)電路所提供的觸發(fā)電壓 、 電流和功率應(yīng)限制在 可靠觸發(fā)區(qū) 。 上升時(shí)間 tr：陽極電流從 10%上升到穩(wěn)態(tài)值的 90%所需的時(shí)間 。 2. 動(dòng)態(tài)特性 晶閘管的基本特性 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 20 2) 關(guān)斷過程 反向阻斷恢復(fù)時(shí)間 trr：正向電流降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間 。 在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓 ，晶閘管會(huì) 重新正向?qū)?。 關(guān)斷時(shí)間 tq：即 tq=trr+tgr 普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒 。 2. 動(dòng)態(tài)特性 圖 29 晶閘管的開通和關(guān)斷過程波形 觸發(fā)脈沖 電力電子技術(shù) (Power Electronics) 電力電子器件 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2023/1/16 22 晶閘管的主要參數(shù) 1. 電壓定額 1) 斷態(tài) 重復(fù)峰值電壓 UDRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí) ， 允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓 。 3) 通態(tài) （ 峰值 ） 電壓 UTM—— 晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓 。 選用時(shí) ， 額定電壓要留有一定裕量 ,一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍 。 使用時(shí)應(yīng)按實(shí)際電流與通態(tài)平均電流有效值相等的原則來選取晶閘管 。 π)(
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