微電子工藝實驗ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 01:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 射光來說要發(fā)生變化 ， 利用該變化測出厚度 。 干涉條紋測量厚度 ? 工作原理是： 氧化層表面的反射光與硅片表面的反射光發(fā)生干涉現(xiàn)象； ? 測量方法： 用 HF酸刻蝕掉部分氧化層 ， 形成坡狀臺階 ， 根據(jù)顏色的周期性變化 ， 對照顏色表得到大致厚度 。 顏色－厚度對照表 熱擴散工藝 ? 內(nèi)容： 半導(dǎo)體集成電路中硼擴散的機理 、方法和特性測量 。 ? 要求： 熟悉硼擴散工藝中予淀積和再分布的操作方法 ， 掌握薄層電阻的測量方法 。 擴散爐示意圖 組成部分：氣路裝置、爐體、石英舟。 擴 散 源 1. 固態(tài)源 ：含有雜質(zhì)的固態(tài)片狀物；氮化硼 (BN)、 五氧化二磷 (P2O5)、 三氧化二砷 (As2O3)。 通常將它們壓成和硅片大小相似的片狀 。 2. 液態(tài)源 ：硼酸三甲酯 （ B(CH3O)3） 、 溴化硼 (BBr3)、 三氯氧磷 (POCl3) 、 氯化砷 (AsCl3)等； 3. 氣態(tài)源 ：乙硼烷 (B2H6)、 磷烷 (PH3)和砷烷 (AsH3)等 。 對于每種擴散雜質(zhì)都要自配一套擴散系統(tǒng) ， 不得混用 ，以防雜質(zhì)互相污染 。 對于硅擴散 ， B是最常用的 P型摻雜劑 ， P， As是最常用的 N型摻雜劑 。 液態(tài)源擴散裝置 液態(tài)源和氣態(tài)源擴散流程 1. 液態(tài)源和氣態(tài)源和輸運氣體一起進入反應(yīng)室； 2. 雜質(zhì)源在高溫下分解 ， 形成氧化物淀積在硅表面； 3. 雜質(zhì)氧化物與硅反應(yīng)生成二氧化硅和雜質(zhì)原子 ， 經(jīng)過硅片表面向內(nèi)部擴散 。 3 2 2 5 24 3 2 6PO C l O P O C l? ? ? ?以三氯氧磷為雜質(zhì)源 ， 首先在硅片上反應(yīng)形成磷硅玻璃 ， 2 5 22 5 4 5P O S i P S i O? ? ?接著用硅取代磷 ， 磷被釋放出來后擴散進入硅 ， 同時 Cl2被排出 注意： 在磷擴散時通入少量的氧氣 ， 是為了使源充分分解 ， 否則源分解不充分而淀積在硅片表面 ， 難以腐蝕； 三氯氧磷有毒 ，所以系統(tǒng)要密封 ， 排出氣體通進通風管道； 三氯氧磷在室溫下蒸汽壓很高 ， 為保持蒸汽壓穩(wěn)定 ， 擴散時源要放在冰水中； 三氯氧磷易水解 ， 系統(tǒng)要保持干燥 。 50 0 C3 3 2 3 2 2()B C H O B O C O C H O?????? ? ? ? ? ?以硼酸三甲酯為液態(tài)雜質(zhì)源，首先 B(CH3O)3在硅片表面分解， 2 3 22 3 4 3B O S i B S i O? ? ?接著用硅取代硼，硼被釋放出來后擴散進入硅 注意： 考慮到
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