微電子工藝基礎緒論(編輯修改稿)
2025-01-19 14:28 本頁面
【文章內容簡介】 電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ① 合金結方法 B 冷卻： p型小球以合金的形式摻入半導體底片 ， 冷卻后 ， 小球下面形成一個再分布結晶區(qū) ， 這樣就得到了一個 pn結 。 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ② 生長結方法 半導體單晶是由摻有某種雜質（例如 P型）的半導體熔液中生長出來的。 在生長過程中的某一時刻 ， 突然改變熔融液的 P/N型 。 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** 合金結的缺點： 不能準確控制 pn結的位置 。 生長結的缺點： 不適宜大批量生產(chǎn) 。 擴散形成 pn結 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** A 擴散結的形成方式 ?與合金結 相似 點 表面表露在高濃度相反類型的雜質源之中 ?與合金結 區(qū)別 點 不發(fā)生相變，雜質靠固態(tài)擴散進入半導體晶體內部 B 擴散結的 優(yōu)點 擴散結結深能夠精確控制。 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** C 二氧化硅薄膜的優(yōu)點 ?作為掩蔽膜，有效的掩蔽大多數(shù)雜質的擴散 ?提高半導體幾何圖形的控制精度 ?鈍化半導體器件表面，提高了器件的穩(wěn)定性。 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** 平面工藝： 利用二氧化硅掩蔽膜 ， 通過光刻出窗口控制幾何圖形進行 選擇性擴散 形成 pn結 平面工藝的優(yōu)點： B2O3 B2O3 兼有固態(tài)擴散形成結和利用二氧化硅掩膜精確控制器件幾何圖形這兩方面的優(yōu)點 。 B2O3n s i微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** 應用平面工藝制作二極管的簡要過程： 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** 應用平面工藝制作二極管的簡要過程 （ 續(xù) 1） ： 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 ③ 擴散結 和 平面工藝 ***** 應用平面工藝制作二極管的簡要過程 （ 續(xù) 2） ： 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況 （ 1）平面工藝的誕生 ***** ?（ 2）平面工藝的發(fā)展 ** （ 3）工藝及產(chǎn)品趨勢 ** （ 4）微電子工藝的特點 ***** 微電子工業(yè)基礎 第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè) 微電子工藝的發(fā)展概況 （ 2） 平面工藝的發(fā)展 從 1959年至今的四十多年間工藝技術的發(fā)展 ， 大多數(shù)采用平面工藝 。 60年代，出現(xiàn)了外延技術，如 nSi/n+Si， nSi/pSi， IC制作在外延層上。 70年代，離子注入技術，實現(xiàn)了淺結摻雜。 新工藝新技術不斷出現(xiàn)，例如：等離子技術，電子束光刻，分子束外延等。（
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