微電子工藝課件9zhangb(編輯修改稿)
2025-06-20 10:53 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 金屬塞 2的形成 1金屬 2互連的形成 1制作到壓點及合金的 金屬 3 1參數(shù)測試 CMOS制作步驟 — 1雙阱工藝 定義 MOSFET有源區(qū)，雙阱包括一個 n阱和 p阱。采用倒摻雜技術(shù)來優(yōu)化晶體管的電學特性 — 利用高能量、大劑量的注入。隨后的阱注入在相同區(qū)域進行，能量劑量都大幅度減小。 形成 n阱的 5個主要步驟 外延生長 初始氧化生長 第一層掩膜， n阱注入 n阱注入（高能） 退火 CMOS制作步驟 — 1雙阱工藝 閂鎖效應(yīng)： 由 NMOS的 有源區(qū)、 P襯底、 N阱、 PMOS的有源區(qū)構(gòu)成的 npnp結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的，當 其中一個三極管正偏 時，就會構(gòu)成正反饋形 成閂鎖。它的存在會使 VDD和 GND之間形成一 低阻抗通路，產(chǎn)生大電 流。 措施： 減小襯底和 N阱 的寄生電阻。 CMOS制作步驟 — 1雙阱工藝 CMOS制作步驟 — 1雙阱工藝 形成 p阱的 3個步驟： 第二層掩膜， p阱注入； p阱注入（高能）； 退火 CMOS制作步驟 — 2淺槽隔離工藝 淺槽隔離工藝（ STI， Shallow Trench isolation）是一種在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。之前的隔離工藝是硅的局域氧化工藝（ LOCOS） STI槽刻蝕 4個主要步驟： 隔離氧化層 barrier oxide 氮化物淀積 第三層掩膜，淺槽隔離 STI槽刻蝕 CMOS制作步驟 — 2淺槽隔離工藝 CMOS制作步驟 — 2淺槽隔離工藝 STI氧化物填充的基本步驟： 溝槽襯墊氧化硅 (側(cè) 壁） trench liner oxide； 溝槽 CVD氧化物填充 CMOS制作步驟 — 2淺槽隔離工藝 STI氧化物氧化層拋光 — 氧化物去除： 1
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