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正文內(nèi)容

微電子工藝面試問答(編輯修改稿)

2024-07-26 13:14 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時器件處于臨界導通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數(shù)之一VDS —— 最大漏源電壓 VGS —— 最大柵源電壓 ID—— 連續(xù)漏電流 IDM ——脈沖漏極電流 PD ——容許溝道總功耗VB——反向峰值擊穿電壓RC——電容電阻、MOS管這種簡單器件原理 特性曲線了解一下?——PN結(jié)加正向電壓(外電場和內(nèi)電場相反)時,
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