微電子英語ppt(編輯修改稿)
2025-01-14 20:50 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 r. 然而 ， 這種任意運動要求更個方向的移動是一樣的 ，這樣的話濃度一致性保持不變 。 宏觀來說 ， 色素的密度整體是不變的這樣擴(kuò)散也就停止了 。 因此 ， 擴(kuò)散過程起因于色素分子的不均勻分布 。 In a semiconductor,the diffusion of electrons or holes results from their movement from high concentration to low electrons and holes are charge carriers,their motion gives rise to a current flow known as the diffusion diffusion flux obeys Fick’s law where F=flux of carriers=numbers passing through 1cm2/s。 D=diffusion constant。 N=carrier density. With a crosssectional area A,the current is given by qAF so that the diffusion currents of electrons and holes are where and are the diffusion constant for electrons and holes,respectively. 在半導(dǎo)體中 ， 電子和空穴的擴(kuò)散起因于他們由高濃度向低濃度移動 。 由于電子和空穴是電荷載流子 ， 所以他們的移動引起電流流動就是擴(kuò)散電流 。 擴(kuò)散的變化遵循菲克第一定律 ， 其中 F是載流子通量； D是擴(kuò)散系數(shù)； N是載流子密度 。 在部分混合的區(qū)域 A， 電流由 qAF導(dǎo)出所以電子和空穴的擴(kuò)散電流如下 ， 其中 和 分別是電子空穴的擴(kuò)散系數(shù) 。 dxdNDF ??dxdnqADJ n?dxdpqADJ pp ?nDpnDpThe diffusion constant will be shown later to be related to the mobilty by Einstein relationship For the lightly doped silicon at room tempera
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