微電子工藝專有名詞(編輯修改稿)
2025-07-26 12:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 微米之微影技術(shù)中，及有用以電子數(shù)為曝光光源者，由于電子束波長甚短（～），故可得甚佳之分辨率，作出更細之IC圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于光芯片制作中，則仍在發(fā)展中。 54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是產(chǎn)品可靠度指針，意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機率。當DRAM生產(chǎn)測試流程中經(jīng)過BURNIN高溫高壓測試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰。為了確定好的產(chǎn)品其考靠度達到要求，所以從母批中取樣本做可靠度測試，試驗中對產(chǎn)品加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機率與產(chǎn)品生命周期之關(guān)系類似浴缸，稱為Bathtub Curve. 55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 所謂電子遷移，乃指在電流作用下金屬的質(zhì)量會搬動，此系電子的動量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當組件尺寸越縮小時，相對地電流密度則越來越大；當此大電流經(jīng)過集成電路中之薄金屬層時，某些地方之金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近之導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對電遷移之抗力，例如：與銅形成合金，沉積時加氧等方式。 56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負電荷，環(huán)繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的“空缺”因缺少一個電子，無法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。 57 ELLIPSOMETER 橢圓測厚儀 將已知波長之射入光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強度訊號，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測芯片模厚度 58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 電子遷移可靠度測試 當電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界（GRAIN Bounderies）擴散（Diffusion），使金屬線產(chǎn)生空洞（Void），甚至斷裂，形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n 101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當VLSI線路密度增加，LatchUp之故障模式于MOS VLSI中將愈來愈嚴重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCHUP問題稱之為SCR (SILICONCONYROLLED RECTIFIER）LATCHUP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個雙截子晶體管PNPN形式的路徑，有如一個垂直的P+NP與一個水平N+PN晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時，將造成兩個晶體管互相導(dǎo)過而短路，嚴重的話將使IC燒毀，故設(shè)計CMOS路防止LATCHUP的發(fā)生是當前IC界最重要的課題。 102 LAYOUT 布局 此名詞用在IC設(shè)計時，是指將設(shè)計者根據(jù)客戶需求所設(shè)計之線路，經(jīng)由CAD（計算機輔助設(shè)計），轉(zhuǎn)換成實際制作IC時，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，關(guān)系到光罩制作出后是和原設(shè)計者之要求符何，因此必須根據(jù)一定之規(guī)則，好比一場游戲一樣，必須循一定之規(guī)則，才能順利完成，而布局完成后之圖形便是IC工廠制作時所看到的光罩圖形。 103 LOAD LOCK 傳送室 用來隔絕反應(yīng)室與外界大器直接接觸，以確保反應(yīng)室內(nèi)之潔凈，降低反應(yīng)是受污染之程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺度等具有真空反應(yīng)室之設(shè)備。 104 LOT NUMBER 批號 批號乃是為線上所有材料之身份證，KEY IN批號如同申報流動戶口，經(jīng)由COMAX系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料之所在站別，并得以查出每批材料之詳細相關(guān)資料，固為生產(chǎn)過程中之重要步驟。批號為7，其編排方法如下： X X X X X 年碼 流水序號92 0000193 0000294 00003以下類推※批號之產(chǎn)生乃于最投片時由SMS系統(tǒng)自動產(chǎn)生。 105 LPCVD（LOW PRESSURE） 低壓化學氣相沉積 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低壓化學氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、復(fù)晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。 106 LP SINTER
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1