哈爾濱工業(yè)大學(xué)－微電子工藝基礎(chǔ)緒論王靜(編輯修改稿)
2025-03-04 01:08 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生① 合金結(jié)方法A 接觸加熱：將一個(gè) p型小球放在一個(gè) n型半導(dǎo)體上，加熱到小球 熔融平面工藝是由 Hoerni于 1960年提出的。在這項(xiàng)技術(shù)中，整個(gè)半導(dǎo)體表面先形成一層氧化層，再借助平板印刷技術(shù)，通過(guò)刻蝕去除部分氧化層，從而形成一個(gè)窗口。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生① 合金結(jié)方法B 冷卻：p型小球以合金的形式摻入半導(dǎo)體底片，冷卻后，小球下面形成一個(gè)再分布結(jié)晶區(qū)，這樣就得到了一個(gè) pn結(jié)。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生② 生長(zhǎng)結(jié)方法半導(dǎo)體單晶是由摻有某種雜質(zhì)（例如 P型）的半導(dǎo)體熔液中生長(zhǎng)出來(lái)的。在生長(zhǎng)過(guò)程中的某一時(shí)刻，突然改變?nèi)廴谝旱?P/N型 。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****合金結(jié)的缺點(diǎn)：不能準(zhǔn)確控制 pn結(jié)的位置。生長(zhǎng)結(jié)的缺點(diǎn)：不適宜大批量生產(chǎn)。擴(kuò)散形成 pn結(jié) 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****A 擴(kuò)散結(jié)的形成方式252。與合金結(jié) 相似 點(diǎn)表面表露在高濃度相反類型的雜質(zhì)源之中252。與合金結(jié) 區(qū)別 點(diǎn)不發(fā)生相變，雜質(zhì)靠固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體晶體內(nèi)部B 擴(kuò)散結(jié)的 優(yōu)點(diǎn)擴(kuò)散結(jié)結(jié)深能夠精確控制。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****C 二氧化硅薄膜的優(yōu)點(diǎn)216。作為掩蔽膜，有效的掩蔽大多數(shù)雜質(zhì)的擴(kuò)散216。提高半導(dǎo)體幾何圖形的控制精度216。鈍化半導(dǎo)體器件表面，提高了器件的穩(wěn)定性。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****平面工藝：利用二氧化硅掩蔽膜，通過(guò)光刻出窗口控制幾何圖形進(jìn)行 選擇性擴(kuò)散 形成 pn結(jié)平面工藝的優(yōu)點(diǎn)： B2O3B2O3兼有固態(tài)擴(kuò)散形成結(jié)和利用二氧化硅掩膜精確控制器件幾何圖形這兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****應(yīng)用平面工藝制作二極管的簡(jiǎn)要過(guò)程： 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****應(yīng)用平面工藝制作二極管的簡(jiǎn)要過(guò)程（續(xù) 1）： 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生③ 擴(kuò)散結(jié) 和 平面工藝 *****應(yīng)用平面工藝制作二極管的簡(jiǎn)要過(guò)程（續(xù) 2）： 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況（ 1） 平面工藝的誕生 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況 （ 1）平面工藝的誕生 *****252。（ 2）平面工藝的發(fā)展 **（ 3）工藝及產(chǎn)品趨勢(shì) **（ 4）微電子工藝的特點(diǎn) ***** 微電子工藝基礎(chǔ) Harbin Institute of Technology in WeiHai第 1章 緒論 一、微電子產(chǎn)業(yè)微電子工藝的發(fā)展概況 （ 2） 平面工藝的發(fā)展從 1959年至今的四十多年間工藝技術(shù)的發(fā)展，
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1