微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)第二章集成電路的制造工藝(編輯修改稿)
2025-01-19 04:40 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 (2) 兩種表面源的擴(kuò)散方程的解 圖 1 圖 2 (3) 擴(kuò)散工藝的主要參數(shù) ① 薄層電阻。 圖 3 圖 4 ② PN結(jié)結(jié)深 Xj 磨角法 Xj=dsin θ 圖 滾槽法 Xj=ab/2R 圖 (4) 在大規(guī)模集成電路制造工藝中應(yīng)減小或避免雜質(zhì)的橫向擴(kuò)散 圖 ? ?tWLtR???QqR S ?1?ICURS ? 2 固態(tài)源擴(kuò)散裝置 圖 工藝過(guò)程為：先是固態(tài)氮化硼源的活化 ,活化后的氮化硼源與硅片間隔等距離立放在反應(yīng)室內(nèi) ， 加熱到 960℃ 擴(kuò)散 ,將預(yù)淀積后的硅晶片在稀氫氟酸中漂去摻入硼的二氧化硅 （ 硼硅玻璃 ） 層后 ， 繼續(xù)進(jìn)行再分布擴(kuò)散 . 3 (1)離子注入裝置 圖 (2)① 離子源 (3)② 磁分析器 (4)③ 加速器 。 (5)④ 聚焦和掃描器 。 (6)⑤ 靶室和偏束板 。 (7)⑥ 真空排氣系統(tǒng)和電氣控制器 。 (8) (2) 離子注入的原理 圖 (3) 離子注入的雜質(zhì)分布 (4) ① 被注入的雜質(zhì)離子是經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析器挑選出來(lái)的 ， 被選中的離子純度高 、 能量單一 ， 從而保證了摻雜純度不受雜質(zhì)源純度的影響 。 ② 離子注入可以在較低溫度 (400 ℃ )下進(jìn)行 ， 所以能夠避免熱擴(kuò)散所引入的晶體缺陷 。 ③ 離子注入摻雜的均勻性好 ， 可以在較大面積上形成既薄又均勻的摻雜層 ， 而且橫向擴(kuò)散比熱擴(kuò)散小得多 。 ④ 離子注入技術(shù)對(duì)于注入離子的能量和劑量可以分別獨(dú)立地控制 ，因而可以精確控制摻雜的濃度和摻雜深度 。 第七節(jié) 1 在二氧化硅薄膜上開(kāi)窗口的光刻工藝步驟 圖 (1) 清洗后的硅片； (2) 涂感光膠； (3) 前烘； (4) 曝光； (5) 顯影； (6) 堅(jiān)膜及腐蝕； (7) 去膠 光刻的流程 ① 清潔處理 。 ② 涂感光膠 。 ③ 前烘 。 ④ 曝光 。 ⑤ 顯影 。 ⑥ 堅(jiān)膜 。 ⑦ 腐蝕 。 ⑧ 去膠 。
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