【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述...................................................................................2電力電子元器件產(chǎn)品概述..........................................................................
2025-02-27 22:29
【總結(jié)】庫(kù)侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(jí)(金屬粒子為幾個(gè)納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過(guò)程是不連續(xù)的,前一個(gè)電子對(duì)后一個(gè)電子的庫(kù)侖排斥能EC(庫(kù)侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個(gè)一個(gè)單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫(kù)侖堵塞效應(yīng)。庫(kù)侖排斥能EC???充一個(gè)電子作功:對(duì)于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【總結(jié)】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結(jié)】微電子器件基礎(chǔ)第八章半導(dǎo)體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu)功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠(yuǎn)大于于小信號(hào)晶體管。
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏置和
2025-01-19 07:34
【總結(jié)】電阻器電阻,英文名resistance,通常縮寫(xiě)為R,它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與導(dǎo)體的尺寸、材料、溫度有關(guān)。歐姆定律說(shuō),I=U/R,那么R=U/I,電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,有這樣的定義:導(dǎo)體上加上一伏特電壓時(shí),產(chǎn)生一安培電流所對(duì)應(yīng)的阻值。電阻的主要職能就是阻礙電流流過(guò)。事實(shí)上,“電阻”說(shuō)的是一種性質(zhì),而通常在電子產(chǎn)品中所指的電阻,是指電阻器這樣一種元件。師傅對(duì)徒弟說(shuō):“
2025-08-04 14:51
【總結(jié)】石墨烯在電子器件制作中的應(yīng)用Theapplicationofgrapheneinthefabricationofelectronicdevices本論文主要內(nèi)容:1簡(jiǎn)介2石墨烯在電子器件中的應(yīng)用3研究進(jìn)展與應(yīng)用前景石墨烯是碳原子六角結(jié)構(gòu)(蜂窩狀)緊密排列的二維單層石墨層。自2021年被科學(xué)家發(fā)
2025-05-11 01:29
【總結(jié)】第四講全控型電力電子器件概述門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn);20世紀(jì)80年代以來(lái),信息電子技術(shù)與電力電子技術(shù)在各自發(fā)展的基礎(chǔ)上相結(jié)合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術(shù)又帶入了一個(gè)嶄新時(shí)代;典型代表——門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-16 17:38
【總結(jié)】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)對(duì)策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術(shù)和應(yīng)用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關(guān)鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面,,其應(yīng)用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個(gè)領(lǐng)域。分立功率器件能處理越來(lái)越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【總結(jié)】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【總結(jié)】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問(wèn)世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問(wèn)世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結(jié)】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國(guó)通用電氣公司(GE)開(kāi)發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開(kāi)辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代;20世紀(jì)80年代以來(lái),開(kāi)
2025-06-24 08:14
【總結(jié)】1.光電導(dǎo)長(zhǎng)度對(duì)光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述........................3電力電子元器件產(chǎn)品概述................................3電力電子器件的今后發(fā)展動(dòng)向............................3第二章、電力電子元器件應(yīng)用領(lǐng)域分析預(yù)測(cè).................4變頻器-
2024-12-15 21:21
【總結(jié)】通訊IQC電子器件培訓(xùn)修訂日期修訂單號(hào)修訂內(nèi)容摘要頁(yè)次版次修訂審核批準(zhǔn)2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19