【摘要】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【摘要】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學(xué)理學(xué)院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所光學(xué)學(xué)會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學(xué)會光機電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學(xué)與光譜分析》
2024-12-31 22:44
【摘要】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉(zhuǎn)化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
【摘要】第二章、電力電子器件、電力電子器件的基本模型、電力二極管?、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管?、電力晶體管?、電力場效應(yīng)晶體管?、絕緣柵雙極型晶體管?、其它新型電力電子器件、電力電子器件的驅(qū)動與保護、電力電子器件的基本模型電力半導(dǎo)體器件是電
2025-02-06 20:00
【摘要】關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關(guān)問題的通知》的通知區(qū)內(nèi)各有關(guān)企業(yè):《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關(guān)問題的通知》已經(jīng)下達,請符合條件的企業(yè)按通知要求認真準備項目資金申請材料(同時提供電子文檔),并于11月8日前送至長沙高新區(qū)管委會產(chǎn)業(yè)發(fā)展局。聯(lián)系人:肖秋良電話:8995479電子郵箱:WYOXQL@
2025-06-22 19:00
【摘要】目錄一·課程設(shè)計目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕勺鳛槎O管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點本節(jié)的重點1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】常用元器件的識別電阻電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示,如:R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標注方法有3種,即直標法、色標法和數(shù)標法。a、數(shù)標法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示
2025-06-24 15:01
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時ID=0。但實際上當(dāng)VGSVT時,MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【摘要】18/18
2025-08-03 05:35
【摘要】 電子器件失效分析學(xué)習(xí)心得 《電子器件失效分析及可靠應(yīng)用》-----學(xué)習(xí)心得 通過8月5日、6日兩天的學(xué)習(xí)培訓(xùn),結(jié)合我司的實際情況,總結(jié)以下幾點學(xué)習(xí)體會。 一、電子器件失效的理念。 失效分析...
2025-09-20 14:05