【摘要】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專業(yè)本
2024-12-28 15:55
【摘要】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng),空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí),N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【摘要】第二講電力電子器件1-1同濟(jì)大學(xué)張文豪主要內(nèi)容1.電力電子器件概述2.不可控器件——二極管3.半控型器件——晶閘管4.典型全控型器件本講小結(jié)及作業(yè)1-21、電力電子器件概述電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路
2025-09-11 21:34
【摘要】典型全控型器件·引言■門(mén)極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問(wèn)世后不久出現(xiàn)?!?0世紀(jì)80年代以來(lái),電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)嶄新時(shí)代?!龅湫痛怼T(mén)極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力MOSFETIGBT單管及模塊門(mén)極可關(guān)斷晶閘管■晶閘管的一種派生器件,但可以通過(guò)在門(mén)極施加負(fù)的
2025-02-21 22:46
【摘要】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【摘要】第19章電力電子器件電力電子器件可控整流電路*逆變電路*交流調(diào)壓電路*直流斬波電路電力電子器件電力電子器件的分類(lèi)(1)不控器件:導(dǎo)通和關(guān)斷無(wú)可控的功能KAD(二極管)KGA普通晶閘管
2025-11-29 11:05
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見(jiàn)到的光對(duì)大腦的刺激程度來(lái)對(duì)光進(jìn)行計(jì)量的
2025-05-11 01:31
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問(wèn)世;1950年代:可控制導(dǎo)電類(lèi)型的超高純度單晶問(wèn)世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學(xué)時(shí))電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學(xué))電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的
2025-02-16 20:18
【摘要】常用電子器件培訓(xùn)主講人:呂明生產(chǎn)部目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2025-01-10 18:13
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】(+-14v供電)能用TDA8172A、TDA8172或LA78045代換,當(dāng)用TDA8177代換時(shí)下部線性不良。:LA769317L55N7-E(CKP1504S)能用LA76931H7L57L2E(CKP1504S5)代換 電源部份三極管MPSA06(NPN:80V)用C2383代換A327A用A966代換待機(jī)45V工作108V。如用A1015和C1815則電源噪聲較小
2025-07-18 12:22
【摘要】課程設(shè)計(jì)課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛(ài)香
2025-07-27 17:47
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見(jiàn)到的光對(duì)大腦的刺激程度來(lái)對(duì)光進(jìn)行
2025-03-04 11:02
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)
2025-05-12 07:50