【總結(jié)】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關(guān)斷晶閘管GTO?功率場效應(yīng)晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應(yīng)晶體管SIT?靜電感應(yīng)晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G
2025-01-01 02:39
【總結(jié)】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)
2025-05-14 22:17
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結(jié)】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【總結(jié)】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】2012-2016年中國光電子器件行業(yè)運(yùn)營分析與投資前景預(yù)測報告北京智研科信咨詢有限公司編制報告簡介智研數(shù)據(jù)研究中心我國光電子器件行業(yè)運(yùn)行目前發(fā)展形勢良好,。目前該行業(yè)企業(yè)正逐步向產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?;l(fā)展,隨著我國光電子器件行業(yè)運(yùn)行下游需求市場的不斷擴(kuò)大以及出口增長,我國光電
2025-08-01 18:05
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結(jié)】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】電力電子器件的驅(qū)動電路1)、驅(qū)動電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài),縮短開關(guān)時間,減小開關(guān)損耗,提高運(yùn)行效率、對裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動電路的基本任務(wù):–將信息電子電路傳來的信號,轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開通或關(guān)斷的信號,及必要的隔離電路。–對
2024-12-29 06:38
【總結(jié)】常用元器件的識別電阻電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示,如:R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種,即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示
2025-06-24 15:01
【總結(jié)】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【總結(jié)】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時,MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】庫侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(金屬粒子為幾個納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過程是不連續(xù)的,前一個電子對后一個電子的庫侖排斥能EC(庫侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個一個單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫侖堵塞效應(yīng)。庫侖排斥能EC???充一個電子作功:對于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14