電力電子器件概述(1)-資料下載頁

【總結(jié)】1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)第1章電力電子器件

2025-05-14 22:17

通訊iqc電子器件培訓(xùn)-資料下載頁

【總結(jié)】通訊IQC電子器件培訓(xùn)修訂日期修訂單號修訂內(nèi)容摘要頁次版次修訂審核批準2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///

2025-04-02 00:19

微電子器件ppt課件-資料下載頁

【總結(jié)】短溝道效應(yīng)當MOSFET的溝道長度L↓時，分立器件：集成電路：??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短，將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來，這一系

2025-04-29 00:54

電力電子器件ppt課件-資料下載頁

【總結(jié)】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管（Thyristor）——硅晶體閘流管的簡稱又稱：可控硅整流器SCR，簡稱可控硅。晶閘管

2025-01-17 09:01

光電子器件基礎(chǔ)-資料下載頁

【總結(jié)】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學理學院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學光電子技術(shù)研究所光學學會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學會光機電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學與光譜分析》

2024-12-31 22:44

光電子器件報告-資料下載頁

【總結(jié)】報告人：高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當今時代，環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源，如何更好的做到低功耗，如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展，成為研究的重點。熱電轉(zhuǎn)化器件，因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點

2024-12-31 22:44

其它新型電力電子器件-資料下載頁

【總結(jié)】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關(guān)斷晶閘管GTO?功率場效應(yīng)晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應(yīng)晶體管SIT?靜電感應(yīng)晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G

2025-01-01 02:39

電力電子器件概述(11)-資料下載頁

【總結(jié)】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)

2025-05-14 22:17

微電子器件(5-5)-資料下載頁

【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET，表示當VGS=0，VDSVDsat且恒定時的IDsat，即??22DSSGSTT22IVVV????

2025-08-05 19:44

微電子器件(3-9)-資料下載頁

【總結(jié)】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系，然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系，兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。（并推廣到高頻小信號）先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式：

2025-01-01 04:40

微電子器件(3-8)-資料下載頁

【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時，首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū)，然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于（kT/q）時，稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量，

2025-01-01 04:40

常用電力電子器件介紹-資料下載頁

【總結(jié)】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）三、大功率晶體管（GTR）四、功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）五、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）復(fù)習提問?1、什么是直流

2025-01-01 04:10

微電子器件(2-4)-資料下載頁

【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理：電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中，反向電壓

2025-07-25 07:03

中國光電子器件行業(yè)運營分析報告-資料下載頁

【總結(jié)】2012-2016年中國光電子器件行業(yè)運營分析與投資前景預(yù)測報告北京智研科信咨詢有限公司編制報告簡介智研數(shù)據(jù)研究中心我國光電子器件行業(yè)運行目前發(fā)展形勢良好，。目前該行業(yè)企業(yè)正逐步向產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；l(fā)展，隨著我國光電子器件行業(yè)運行下游需求市場的不斷擴大以及出口增長，我國光電

2025-08-01 18:05

微電子器件課件-3--資料下載頁

【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時，首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū)，然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時，稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量，都由直流偏

2025-08-04 15:48

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