【摘要】典型全控型器件·引言■門極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問世后不久出現(xiàn)?!?0世紀(jì)80年代以來,電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)嶄新時(shí)代?!龅湫痛怼T極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力MOSFETIGBT單管及模塊門極可關(guān)斷晶閘管■晶閘管的一種派生器件,但可以通過在門極施加負(fù)的
2025-02-21 22:46
【摘要】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無線電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【摘要】第19章電力電子器件電力電子器件可控整流電路*逆變電路*交流調(diào)壓電路*直流斬波電路電力電子器件電力電子器件的分類(1)不控器件:導(dǎo)通和關(guān)斷無可控的功能KAD(二極管)KGA普通晶閘管
2025-11-29 11:05
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見到的光對(duì)大腦的刺激程度來對(duì)光進(jìn)行計(jì)量的
2025-05-11 01:31
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2025-12-19 15:55
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學(xué)時(shí))電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學(xué))電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的
2025-02-16 20:18
【摘要】常用電子器件培訓(xùn)主講人:呂明生產(chǎn)部目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2026-01-01 18:13
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】(+-14v供電)能用TDA8172A、TDA8172或LA78045代換,當(dāng)用TDA8177代換時(shí)下部線性不良。:LA769317L55N7-E(CKP1504S)能用LA76931H7L57L2E(CKP1504S5)代換 電源部份三極管MPSA06(NPN:80V)用C2383代換A327A用A966代換待機(jī)45V工作108V。如用A1015和C1815則電源噪聲較小
2025-07-18 12:22
【摘要】課程設(shè)計(jì)課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛香
2025-07-27 17:47
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見到的光對(duì)大腦的刺激程度來對(duì)光進(jìn)行
2025-03-04 11:02
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)
2025-05-12 07:50
【摘要】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-07-24 20:06
【摘要】品管部培訓(xùn)手冊(cè)質(zhì)量及HSF方針倡導(dǎo)節(jié)能環(huán)保精心加工制作提升核心價(jià)值傾心服務(wù)客戶質(zhì)量目標(biāo)顧客滿意度分?jǐn)?shù)在85分以上成品合格率98%有害物質(zhì)符合性達(dá)標(biāo)率100%
2025-10-25 18:21
【摘要】LASERLightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation1917:愛因斯坦()提出了受激輻射可以實(shí)現(xiàn)光放大的概念,導(dǎo)致激光發(fā)明的理論基礎(chǔ)1917年以后近四十年內(nèi)量子理論的發(fā)展;粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的有效實(shí)現(xiàn);電子學(xué)與微波技術(shù)的發(fā)展1954:美國(guó)湯斯()前蘇聯(lián)巴索夫()和普羅
2025-05-06 04:10