【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行計量的
2025-05-11 01:31
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點接觸晶體管問世;1950年代:可控制導電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機);1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時代;1970年代:集成電路(IC)
2025-12-19 15:55
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學時)電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學)電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的
2025-02-16 20:18
【摘要】常用電子器件培訓主講人:呂明生產(chǎn)部目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2026-01-01 18:13
【摘要】微電子器件可靠性習題第一、二章數(shù)學基礎1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】(+-14v供電)能用TDA8172A、TDA8172或LA78045代換,當用TDA8177代換時下部線性不良。:LA769317L55N7-E(CKP1504S)能用LA76931H7L57L2E(CKP1504S5)代換 電源部份三極管MPSA06(NPN:80V)用C2383代換A327A用A966代換待機45V工作108V。如用A1015和C1815則電源噪聲較小
2025-07-18 12:22
【摘要】課程設計課程名稱微電子器件工藝課程設計題目名稱PNP雙極型晶體管的設計學生學院___材料與能源學院____專業(yè)班級08微電子學1班學號3108008033學生姓名____張又文___指導教師魏愛香
2025-07-27 17:47
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行
2025-03-04 11:02
【摘要】微電子器件工藝學序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學是固體物理,微電子器件工藝和電子學
2025-05-12 07:50
【摘要】acceptor受主donor施主rebination復合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢壘p-njunctionpn結(jié)
2025-07-24 20:06
【摘要】品管部培訓手冊質(zhì)量及HSF方針倡導節(jié)能環(huán)保精心加工制作提升核心價值傾心服務客戶質(zhì)量目標顧客滿意度分數(shù)在85分以上成品合格率98%有害物質(zhì)符合性達標率100%
2025-10-25 18:21
【摘要】LASERLightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation1917:愛因斯坦()提出了受激輻射可以實現(xiàn)光放大的概念,導致激光發(fā)明的理論基礎1917年以后近四十年內(nèi)量子理論的發(fā)展;粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的有效實現(xiàn);電子學與微波技術(shù)的發(fā)展1954:美國湯斯()前蘇聯(lián)巴索夫()和普羅
2025-05-06 04:10
【摘要】目錄一·課程設計目的與任務……………………………………………………………1二·設計的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設計的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設計……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【摘要】 第1頁共8頁 關(guān)于電力電子器件分類與應用思考 電力電子技術(shù)是以電力電子器件為基礎對電能進行控制、轉(zhuǎn) 換和傳輸?shù)囊婚T技術(shù),是現(xiàn)代電子學的一個重要分支,包括電力 電子器件、變流電路和控制電路三...
2025-08-17 16:04
【摘要】半導體器件失效分析基礎內(nèi)部資料,注意保密課程說明?課程時長:4小時?授課方式:講授?必備條件:數(shù)投、便攜機、白板、擴音設備?課程簡介:通過對《半導體器件失效分析基礎》課程的講解,使學員體會到產(chǎn)品進行元器件失效分析的重要性和迫切性,本課程主要講授了器件常見失效模式、常見失效機理、失效分析流程、
2025-12-20 12:34