【摘要】報告人:單夢潔成員:單夢潔劉二情魏娟娟楊秋X射線光電子能譜分析X-rayPhotoelectronSpectroscopyXPS?X射線光電子能譜分析法是用X射線作入射束,在與樣品表面原子相互作用后,將原子內(nèi)殼層電子激發(fā)電離,通過對結(jié)合能的計算并研究其變化規(guī)律來了解被測樣品所含元素
2025-05-10 16:46
【摘要】光電子技術(shù)基礎(chǔ)選用教材:《光電子技術(shù)基礎(chǔ)》朱京平編,,科學(xué)出版社。主要參考書目:《現(xiàn)代通信光電子學(xué)(第五版)》亞里夫著,陳鶴鳴譯,,電子工業(yè)出版社;《光電子技術(shù)基礎(chǔ)》彭江得主編,,清華大學(xué)出版社;《光電子技術(shù)》楊經(jīng)國等編,,四川大學(xué)出版社。課程目的與任務(wù)
2025-07-26 18:29
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問?1、什么是直流
2025-12-23 04:10
【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】半導(dǎo)體光電子學(xué)緒論1897年湯姆遜發(fā)現(xiàn)電子,1905年愛因斯坦提出電子學(xué)說——為半導(dǎo)體光電子學(xué)奠定了基礎(chǔ)。1953年9月,美國馮?紐曼預(yù)言在半導(dǎo)體中產(chǎn)生受激發(fā)射的可能。20世紀(jì)60年代伯納德(Bernard)和杜拉福格(Duraffourg)給出了半導(dǎo)體中實現(xiàn)受激輻射時的必要條件——非平衡電子,空穴濃度
2026-01-09 18:59
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【摘要】光電子技術(shù)(2)中篇:“激光器件”習(xí)題1、某廠家脈沖氙燈參數(shù)如下:內(nèi)徑d極間距l(xiāng)燈阻系數(shù)K0最大平均功率最大峰值電流工作電壓最小觸發(fā)電壓Φ7mm150mm6597W1400A900~3150V18KV,試計算,當(dāng)閃光時間tp=,輸入能量Ein=1KJ時,燈壽命和最高重復(fù)頻率?2、一RLC諧振充電電路,已知:V0=1KV,ω0
2025-03-24 07:25
【摘要】第2章光輻射的傳播●●晶體光學(xué)基礎(chǔ)(補充)●●●光波在大氣中的傳播在不考慮非線性效應(yīng)的條件下:簡化為:為大氣衰減系數(shù)?大氣對太陽輻射的減弱太陽輻射在大氣中的減弱此即為描述大氣衰減的朗伯定律.它表明光強隨傳輸距離的增加呈指數(shù)規(guī)律衰減
2025-05-06 04:11
【摘要】1、器件概述2、電力二極管3、晶閘管第2講電力電子器件之一第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件
2025-12-19 22:24
【摘要】光電子技術(shù)(5)工作物質(zhì):氦氣(~1乇)+氖氣()混合氣體激活介質(zhì):氖原子能級結(jié)構(gòu):四能級系統(tǒng),如圖:E1=2p6,E2=1S,E3=2P,3PE4=2S,3S,這些激發(fā)態(tài)能級都有豐富的精細(xì)結(jié)構(gòu)。HeNe1s223s121s02p63s13p14s14p15s12S
2025-05-13 15:15
【摘要】第二講電力電子器件1-1同濟大學(xué)張文豪主要內(nèi)容1.電力電子器件概述2.不可控器件——二極管3.半控型器件——晶閘管4.典型全控型器件本講小結(jié)及作業(yè)1-21、電力電子器件概述電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路
2025-09-11 21:34
【摘要】典型全控型器件·引言■門極可關(guān)斷晶閘管在晶閘管問世后不久出現(xiàn)?!?0世紀(jì)80年代以來,電力電子技術(shù)進(jìn)入了一個嶄新時代?!龅湫痛怼T極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。電力MOSFETIGBT單管及模塊門極可關(guān)斷晶閘管■晶閘管的一種派生器件,但可以通過在門極施加負(fù)的
2025-02-21 22:46
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學(xué)時)電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學(xué))電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的
2025-02-16 20:18
【摘要】電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)第1章電力電子器件1電力電子器件概述電力電子器件的概念和特征電力電子電路
2025-12-20 03:11