【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時(shí)的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】常用元器件的識(shí)別電阻電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示,如:R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種,即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示
2025-06-24 15:01
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【摘要】18/18
2025-08-03 05:35
【摘要】 電子器件失效分析學(xué)習(xí)心得 《電子器件失效分析及可靠應(yīng)用》-----學(xué)習(xí)心得 通過8月5日、6日兩天的學(xué)習(xí)培訓(xùn),結(jié)合我司的實(shí)際情況,總結(jié)以下幾點(diǎn)學(xué)習(xí)體會(huì)。 一、電子器件失效的理念。 失效分析...
2024-09-29 14:05
【摘要】微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)?設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時(shí),β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計(jì)任務(wù)具體要求:1、制造目標(biāo):發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2024-12-27 20:50
【摘要】電力電子器件創(chuàng)新技術(shù)與解決方案研討會(huì)(PECITS2007)邀請(qǐng)函縱觀IT產(chǎn)業(yè)不同器件的發(fā)展歷程,由真空電子管、晶體管、集成電路、大規(guī)模集成電路到超大規(guī)模集成電路,一代器件造就一代系統(tǒng),變頻器與電源系統(tǒng)及其子系統(tǒng)也不例外。從某種意義上說,是器件技術(shù)的發(fā)展水平?jīng)Q定著變頻器及電源行業(yè)的成長高度。因此,關(guān)注器件技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)對(duì)于變頻器和電源行業(yè)的企業(yè)無比重要。由《變頻器世界》發(fā)
2025-07-13 23:17
【摘要】電氣工程學(xué)院ElectricalEngineeringInstituteofNEDU第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用2023/3/1
2025-01-01 01:32
【摘要】大量資料天天更新常用電子器件培訓(xùn)大量資料天天更新目錄★電阻器★電容器★電感器★二極管
2024-12-31 23:04
【摘要】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-05-01 18:00
【摘要】DOCUMENTNO:發(fā)行版本VERSION:頁數(shù)PAGINATION:69
2025-04-12 04:00